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FDD3682

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-FDD3682 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDD3682

FDD3682概述

    FDD3682-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDD3682-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道100伏特(D-S)功率MOSFET。它采用TrenchFET技术制造,具有低热阻封装的特点。此款MOSFET主要用于高可靠性需求的应用场合,如电源管理、电机驱动、电池管理和工业自动化等领域。

    技术参数


    - 主要规格
    - 漏源电压(VDS):100 V
    - 最大连续漏极电流(TJ = 175 °C):40 A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):120 A
    - 复位雪崩电流(IAR):35 A
    - 最大功率耗散(PD):107 W (TA = 25 °C)
    - 热阻率(RthJA):40 °C/W
    - 雪崩能(EAR):61 mJ
    - 工作温度范围(TJ 和 Tstg):-55 到 175 °C
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):100 V
    - 门阈电压(VGS(th)):1 - 3 V
    - 门体泄漏电流(IGSS):± 100 nA
    - 门电压为零时的漏电流(IDSS):1 μA
    - 开启状态下漏电流(ID(on)):75 A
    - 开启状态下漏源电阻(rDS(on)):0.030 Ω (VGS = 10 V, ID = 5 A)
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):2600 pF
    - 输出电容(Coss):290 pF
    - 反向转移电容(Crss):120 pF
    - 总栅极电荷(Qg):35 - 60 nC
    - 栅极电荷(Qgs):11 nC
    - 栅极电荷(Qgd):9 nC
    - 开关时间
    - 开通延迟时间(td(on)):11 - 20 ns
    - 上升时间(tr):12 - 20 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):30 - 45 ns
    - 下降时间(tf):12 - 20 ns

    产品特点和优势


    FDD3682-VB 采用了先进的TrenchFET技术,提供了低导通电阻和高可靠性的优势。此外,它的高耐温特性使其能够在恶劣环境下稳定运行,适用于多种工业应用。低热阻的设计进一步提高了散热效率,减少了器件故障的风险。

    应用案例和使用建议


    该产品适合用于需要高电流、高可靠性和紧凑设计的应用场合,如工业电源管理、电机控制和电池管理系统。在实际使用过程中,建议合理规划电路布局,确保良好的散热效果,避免因过热导致器件失效。此外,在设计时要根据具体应用场景选择合适的驱动电路和保护措施,以确保最佳性能和稳定性。

    兼容性和支持


    FDD3682-VB 支持标准的TO-252封装,易于安装和替换。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册和技术文档,以及在线技术支持平台,确保用户能够快速解决问题并获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品发热严重?
    - 解决方案:检查电路布局和散热设计,确保良好的散热条件。如果必要,可以增加外部散热片或风扇来提高散热效率。

    - 问题:漏电流过大?
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,特别是栅极引脚的接法。确保所有的焊接点牢固无虚焊现象。

    总结和推荐


    总体来说,FDD3682-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,非常适合用于各种工业级应用。其出色的热管理和低导通电阻使得它在高功率应用中表现优异。对于需要高效能、高稳定性的应用场合,我们强烈推荐使用这款产品。

FDD3682参数

参数
栅极电荷 25nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 330pF@25V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 9.7A
最大功率耗散 48W
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 10V,5.7A
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDD3682厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDD3682数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDD3682 FDD3682数据手册

FDD3682封装设计

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