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2SK3147S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: 14M-2SK3147S TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3147S

2SK3147S概述

    # 2SK3147S-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    2SK3147S-VB 是一款适用于电源管理和高功率控制领域的 N-Channel 100V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品采用先进的 TrenchFET® 技术,具备高性能和可靠性。它主要应用于开关电源中的初级侧开关,适用于多种高功率转换设备。
    主要功能
    - 高温工作能力:最大工作温度为150°C,确保在恶劣环境下正常运行。
    - PWM 优化设计:适合于脉冲宽度调制系统。
    - 100% Rg 测试:保证产品质量和一致性。
    - 符合 RoHS 标准:环保且无有害物质。
    应用领域
    - 电源管理系统
    - 工业自动化
    - 通信设备
    - 消费电子设备

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |

    | 栅极-源极电压 | VGS | ± 20 | V |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 100 | V |
    | 连续漏极电流(TJ=175°C) | IDC | 13 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 40 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | 96 | W |
    规格参数
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | - | 100 | - | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | - | - | - | V |
    | 栅极-体泄漏电流 | IGSS | - | ± 100 | - | nA |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 8 | - | nC |
    | 漏极-源极电阻 | RDS(on) | - | 0.140 | - | Ω |

    产品特点和优势


    2SK3147S-VB 以其高效的电气性能和卓越的工作稳定性著称。关键特点如下:
    - 高温耐受性:最高工作温度达150°C,适合在高温环境中运行。
    - PWM 优化:特别优化用于脉宽调制(PWM)系统,提升电源效率。
    - 可靠的质量保障:100% Rg 测试保证每个产品的质量和一致性。
    - 绿色环保:符合 RoHS 标准,减少对环境的影响。

    应用案例和使用建议


    实际应用
    2SK3147S-VB 在工业自动化设备和通信系统中的电源管理模块中广泛应用。例如,在一台高频开关电源中,它可以作为初级侧开关使用,提高系统的效率和稳定性。
    使用建议
    - 确保散热良好:由于其较高的功率耗散,需要良好的散热措施来避免过热。
    - 严格遵循绝对最大额定值:超过规定的额定值可能导致永久损坏。
    - 考虑 EMC 设计:确保系统具有良好的电磁兼容性,避免干扰。

    兼容性和支持


    2SK3147S-VB 可以轻松与标准电源管理系统和其他电子元件集成。制造商提供全面的技术支持和售后服务,以帮助客户解决安装和调试过程中可能遇到的问题。官方服务热线为400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何判断设备是否过热?
    解决方案:使用红外测温仪测量器件温度,如果超过150°C,则需要采取散热措施。
    问题二:如何检测栅极泄漏电流?
    解决方案:使用兆欧表测试栅极与源极之间的绝缘电阻,若阻值低于预期则可能存在泄漏问题。

    总结和推荐


    综合评估
    2SK3147S-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET。它具备出色的高温耐受性和PWM优化特性,非常适用于各种高功率转换应用。通过严格的质量控制和广泛的测试,确保了其优异的性能和稳定性。
    推荐意见
    鉴于其卓越的电气特性和广泛的应用范围,强烈推荐在高功率和高频转换系统中使用 2SK3147S-VB。对于寻求高效能和稳定性的电源管理方案的工程师而言,这是一个值得信赖的选择。

2SK3147S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 114mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 15A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK3147S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3147S数据手册

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2SK3147S封装设计

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