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IRF2807ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V);TO220
供应商型号: 14M-IRF2807ZPBF TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF2807ZPBF

IRF2807ZPBF概述

    IRF2807ZPBF-VB 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRF2807ZPBF-VB 是一款由VBsemi生产的N沟道功率MOSFET器件,主要应用于80V(D-S)电压环境下。这款器件采用了TrenchFET®技术,确保了高效率和低导通电阻。其广泛的应用领域包括初级侧开关、同步整流、直流/交流逆变器和LED背光照明等。

    2. 技术参数


    以下是IRF2807ZPBF-VB的技术规格和关键性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 80V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 持续漏电流 (TJ = 150°C): 28.6A (Tb = 25°C)
    - 脉冲漏电流 (t = 100μs): 350A
    - 持续源极-漏极二极管电流 (TC = 25°C): 4.5A
    - 单脉冲雪崩电流 (IL = 0.1mH): 30A
    - 单脉冲雪崩能量 (TC = 25°C): 45mJ
    - 最大功耗 (TC = 70°C): 180W (TC = 25°C): 120W
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 到 150°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VGS = 0V, ID = 250μA): 80V
    - 栅源阈值电压 (VDS = VGS, ID = 250μA): 2.0V 至 3.5V
    - 零栅压漏电流 (VDS = 80V, VGS = 0V, TJ = 55°C): 10μA
    - 开态漏电流 (VDS ≥ 5V, VGS = 10V): 85A
    - 导通电阻 (VGS = 10V, ID = 20A): 7mΩ
    - 输入电容 (VDS = 40V, VGS = 0V, f = 1MHz): 3855pF
    - 输出电容 (VDS = 40V, VGS = 0V): 1120pF
    - 反向传输电容 (VDS = 40V, VGS = 0V): 376pF
    - 总栅电荷 (VDS = 40V, VGS = 10V, ID = 10A): 35.5nC
    - 动态参数
    - 开启延迟时间 (VDD = 40V, RL = 4Ω, ID ≈ 10A, VGEN = 10V, Rg = 1Ω): 12至24ns
    - 开启上升时间 (VDD = 40V, RL = 4Ω, ID ≈ 10A, VGEN = 10V, Rg = 1Ω): 8至16ns
    - 关闭延迟时间 (VDD = 40V, RL = 4Ω, ID ≈ 10A, VGEN = 10V, Rg = 1Ω): 32至64ns
    - 关闭下降时间 (VDD = 40V, RL = 4Ω, ID ≈ 10A, VGEN = 10V, Rg = 1Ω): 7至14ns

    3. 产品特点和优势


    - 高效能: 采用TrenchFET®技术,确保低导通电阻和高效率。
    - 可靠性: 所有器件均经过100% Rg和UIS测试。
    - 适用性广泛: 适用于多种电力转换和控制应用,如初级侧开关、同步整流等。

    4. 应用案例和使用建议


    IRF2807ZPBF-VB 主要应用于初级侧开关、同步整流、直流/交流逆变器和LED背光照明等领域。具体使用时应注意散热管理,建议在设计时考虑外部散热片以保持良好的热稳定性和长期可靠性。

    5. 兼容性和支持


    该器件与其他标准电源系统和电路板高度兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的数据手册、应用指南和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 如何提高电路的散热性能?
    - 解决方案: 使用外部散热片或风扇,确保良好的空气流通,减少器件温度。

    - 问题: 如何避免过压损坏?
    - 解决方案: 在电路中加入合适的保护电路,例如瞬态电压抑制器(TVS)。

    7. 总结和推荐


    IRF2807ZPBF-VB是一款高效的N沟道MOSFET器件,特别适合于高效率的电源转换应用。其低导通电阻、高性能和广泛的适用性使其成为众多应用场景的理想选择。强烈推荐在需要高可靠性和高性能的电力转换项目中使用此器件。
    如有任何疑问或技术支持需求,请联系VBsemi官方客服热线:400-655-8788。

IRF2807ZPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF2807ZPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF2807ZPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF数据手册

IRF2807ZPBF封装设计

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