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VBZM20N65S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: VBZM20N65S TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM20N65S

VBZM20N65S概述


    产品简介


    VBZM20N65S 是一款高性能的N沟道超结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要特点包括低导通电阻和高可靠性。这款MOSFET被广泛应用于各种领域,如电信、照明、消费电子、工业控制以及可再生能源系统等。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DSS} \): 650V
    - 最大栅源电压 \( V{GSS} \): ±30V
    - 连续漏电流 \( ID \)(\( TJ = 150^\circ \text{C} \)): 20A(\( TC = 25^\circ \text{C} \)),13A(\( TC = 100^\circ \text{C} \))
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 367mJ
    - 最大耗散功率 \( PD \): 208W
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 至 +150°C
    - 热阻 \( R{thJA} \): 最大62°C/W
    - 电气特性
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 650V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \)(\( V{GS} = 10V \)): 0.19Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2322pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 105pF
    - 门极电荷 \( Qg \): 71~106nC
    - 门极-源极电荷 \( Q{gs} \): 14nC
    - 门极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 33nC

    产品特点和优势


    - 低反向恢复时间 \( t{rr} \) 和 低反向恢复电荷 \( Q{rr} \):减少了开关损耗,提高了效率。
    - 低栅极电荷 \( Qg \):降低了驱动损耗,增强了性能。
    - 低输入电容 \( C{iss} \):减小了寄生电容的影响,改善了高频性能。
    - 低导通电阻 \( R{DS(on)} \):具有出色的低导通电阻,适用于需要高效率的应用。
    - 超低门极电荷 \( Qg \):进一步降低开关损耗,提高效率。
    - 重复性脉冲雪崩耐量 \( E{AS} \):确保了在恶劣环境下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    VBZM20N65S 在多种应用场合中表现出色,例如:
    - 电信:适用于服务器和通信电源系统。
    - 照明:可用于高强度放电灯(HID)和荧光灯球泡照明。
    - 消费电子和计算:适用于ATX电源供应。
    - 工业:用于焊接和电池充电器。
    - 可再生能源:适用于太阳能光伏逆变器。
    - 开关模式电源:适用于各种开关模式电源(SMPS)。
    使用建议:
    - 在使用时需注意最大结温限制,避免过载运行导致损坏。
    - 在设计电路时,要考虑到其热管理,确保散热片能有效散热。
    - 在开关电源设计中,应选择合适的门极电阻以优化驱动性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:VBZM20N65S 具有良好的兼容性,可以与大多数标准电路板和驱动器配合使用。
    - 支持和服务:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,客户可以通过服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间运行后结温过高。
    - 解决方案:确保电路设计中有足够的散热措施,避免过热。

    - 问题2:开关损耗较大。
    - 解决方案:使用较低的栅极电阻来减小开关损耗。

    总结和推荐


    总体而言,VBZM20N65S 是一款性能卓越、应用广泛的N沟道超结MOSFET,适合用于要求高效能、高可靠性的应用场景。其独特的技术参数和优势使其在市场上具备很强的竞争力。我们强烈推荐在电信、照明、工业和可再生能源等领域使用此产品。

VBZM20N65S参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 20A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM20N65S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM20N65S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM20N65S VBZM20N65S数据手册

VBZM20N65S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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起订量: 10 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
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