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25N06L-TN3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 60V 35A 25mΩ@10V TO-252
供应商型号: 14M-25N06L-TN3 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 25N06L-TN3

25N06L-TN3概述

    # 25N06L-TN3-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    25N06L-TN3-VB 是一款 N-沟道增强型功率 MOSFET(TrenchFET®),采用 TO-252 封装形式。该产品具有高可靠性,能够承受高达 175°C 的结温,适用于多种电源管理和驱动控制应用。MOSFET 通常用于开关电源、电机驱动、照明系统等领域。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 60 V
    - 门阈值电压 (VGS(th)): 1.0 ~ 3.0 V
    - 门体漏电流 (IGSS): ± 100 nA
    - 零门电压漏电流 (IDSS): 1 μA @ 125°C, 50 μA @ 175°C
    - 导通门电流 (ID(on)): 50 A @ 5 V, 10 V
    - 导通电阻 (rDS(on)): 0.026 Ω @ 10 V, 15 A; 0.029 Ω @ 4.5 V, 10 A
    - 前向跨导 (gfs): 20 S @ 15 V, 15 A
    - 输入电容 (Ciss): 140 pF @ 0 V, 25 V
    - 输出电容 (Coss): 60 pF @ 0 V, 25 V
    - 反向传输电容 (Crss): 60 pF @ 25 V
    - 总栅极电荷 (Qg): 11 ~ 17 nC @ 30 V, 10 V
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 3 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 3 nC
    动态参数
    - 开启延迟时间 (td(on)): 8 ~ 15 ns
    - 上升时间 (tr): 15 ~ 25 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 30 ~ 45 ns
    - 下降时间 (tf): 25 ~ 40 ns
    热阻抗
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 18 ~ 22 °C/W (稳态)
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 3.2 ~ 4 °C/W
    绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏电流 (ID): 25 °C 时 100 A, 100 °C 时 23 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 100 A
    - 单次雪崩能量 (EAS): 20 mJ (脉冲宽度 ≤ 300 μs, 占空比 ≤ 2%)
    - 最大功耗 (PD): 25 °C 时 100 W, 25 °C 时 3 W
    温度范围
    - 操作结温和存储温度范围 (Tj, Tstg): -55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:耐高温可达 175°C,适合恶劣的工作环境。
    2. 低导通电阻:rDS(on) 值极低,提供高效的能量转换和低损耗。
    3. 快速开关:优秀的动态性能,可以实现高频开关操作。
    4. 高门极电荷管理:有效的栅极电荷管理,保证快速且稳定的开关性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:该 MOSFET 可以在高频率下工作,适用于需要高效率和稳定性的电源设计。
    - 电机驱动:由于其高可靠性和低损耗特性,适合用于电机驱动的应用。
    - LED 驱动:用于 LED 驱动电路中,可提高驱动效率并减少发热。
    使用建议
    - 热管理:确保散热片良好,特别是在高电流情况下使用时。
    - 驱动电路设计:设计合适的栅极驱动电路,避免过高的栅极电压导致损坏。
    - 负载匹配:选择合适的负载,确保 MOSFET 工作在其安全范围内。

    兼容性和支持


    25N06L-TN3-VB 与其他标准电源管理和驱动控制设备兼容,建议使用制造商提供的驱动电路参考设计。厂家提供详细的技术支持,包括应用指南和技术文档,可通过 400-655-8788 联系服务热线获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的栅极电压导致 MOSFET 损坏。
    - 解决办法:确保栅极驱动电路设计合理,不要超过最大允许的栅极电压(±20 V)。

    2. 问题:在高频应用中出现过热问题。
    - 解决办法:加强散热措施,如增加散热片面积,降低工作温度。

    3. 问题:在高温环境下工作时,导通电阻变高。
    - 解决办法:选择适合高温工作的 MOSFET,并确保良好的热管理。

    总结和推荐


    25N06L-TN3-VB N-沟道 MOSFET 具有卓越的电气特性和可靠性能,适用于多种高要求的应用场景。该产品在高频率开关、电源管理及电机驱动方面表现出色。鉴于其高效能和稳定性,我们强烈推荐该产品用于各种工业控制和电源应用。建议用户在使用前仔细阅读技术手册,并遵循正确的安装和维护步骤。

25N06L-TN3参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 10V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 35A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

25N06L-TN3厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

25N06L-TN3数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 25N06L-TN3 25N06L-TN3数据手册

25N06L-TN3封装设计

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