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HM2305PR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道 -30V -7.6A 50mΩ@-10V SOT89-3
供应商型号: 14M-HM2305PR SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM2305PR

HM2305PR概述

    HM2305PR-VB P-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    HM2305PR-VB 是一款由VBsemi公司生产的P沟道30V耐压的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具备TrenchFET技术,具有高可靠性和低导通电阻等特点。该器件主要应用于负载开关和电池切换电路,适用于各种需要高效率开关操作的应用场景。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 \(V{DS}\): -30V
    - 漏极连续电流 \(ID\): 在25°C下可达7.6A,在70°C下降至5.8A
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\): -35A
    - 源漏二极管最大连续电流 \(IS\): 在25°C下可达6.0A,在70°C下降至5.2A
    - 最大功率耗散 \(PD\): 在25°C下可达6.5W,在70°C下降至3.5W
    - 热阻
    - 结至环境最大热阻 \(R{thJA}\): 40°C/W (典型值)
    - 结至引脚最大热阻 \(R{thJF}\): 24°C/W (典型值)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): -30V (在\(V{GS} = 0V\),\(ID = -250 \mu A\))
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\): 在\(V{GS} = -10V\)时为0.0欧姆,在\(V{GS} = -4.5V\)时为0.056欧姆
    - 输入电容 \(C{iss}\): 355pF (在\(V{DS} = -15V\), \(V{GS} = 0V\))

    - 动态参数
    - 开启延迟时间 \(t{d(on)}\): 在\(V{DD} = -15V\),\(RL = 2.7\Omega\),\(ID \approx -5.6A\),\(V{GEN} = -10V\)时为10ns (最小值)
    - 关闭延迟时间 \(t{d(off)}\): 在相同条件下为23ns (最小值)

    产品特点和优势


    - 高可靠性:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素材料
    - 低导通电阻:典型值为0.056欧姆,有效减少能耗
    - 高散热性能:较低的热阻,适合长时间工作

    应用案例和使用建议


    HM2305PR-VB适用于多种应用场景,如负载开关和电池切换。使用建议如下:
    - 在高温环境下工作时需注意热管理,确保适当的散热措施。
    - 设计电路时需考虑电源电压范围及漏极电流,以确保器件正常工作。

    兼容性和支持


    HM2305PR-VB与多数标准的电源系统兼容,适用于现有的PCB布局设计。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,可联系400-655-8788获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 高温下电流不稳定
    - 解决方案: 确保足够的散热措施,避免超过最大允许工作温度。
    - 问题2: 导通电阻异常升高
    - 解决方案: 检查接线是否正确,重新校准栅极电压。

    总结和推荐


    HM2305PR-VB是一款高性能的P沟道30V MOSFET,适用于高效率的负载开关和电池切换应用。其低导通电阻和高可靠性使其成为众多工业领域的理想选择。综上所述,强烈推荐此产品用于相关应用场景。

HM2305PR参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 7.6A
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HM2305PR厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM2305PR数据手册

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