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NDD03N80ZT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO252
供应商型号: 14M-NDD03N80ZT4G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDD03N80ZT4G

NDD03N80ZT4G概述


    产品简介


    NDD03N80ZT4G-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低通态电阻(RDS(on))和高可靠性。它广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明(如高强度放电灯HID和荧光灯镇流器)、工业设备(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源系统及光伏逆变器)。此器件以其卓越的动态和静态特性,在多个行业中发挥着关键作用。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 800 | V |
    | 门源电压 | VGS | ±30 | - | ±30 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | 2.8 | - | 1.8 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 5 | A |
    | 击穿电压 | VDS | - | - | 800 | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 通态电阻 | RDS(on) | - | 2.38 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 315 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 20 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 9.8 | 19.6 | nC |
    | 上升时间 | tr | - | 714 | - | ns |

    产品特点和优势


    NDD03N80ZT4G-VB 的主要优势在于其低输入电容(Ciss)和超低栅极电荷(Qg),这使得其在高频应用中的切换损耗极低。它的最大结温范围为-55到+150°C,确保了在极端温度条件下的可靠运行。此外,其出色的浪涌能力和低通态电阻使它成为高可靠性应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    在服务器和电信电源中,NDD03N80ZT4G-VB 可用于提高电源转换效率和稳定性。在可再生能源系统中,例如光伏逆变器,它能够有效地降低损耗并提升系统的整体性能。为了充分发挥其性能,建议在设计电路时尽量减少引线长度,避免不必要的寄生电感和电容,从而减少对开关速度的影响。

    兼容性和支持


    NDD03N80ZT4G-VB 采用了DPAK封装,易于安装和使用,且与标准的焊料工艺兼容。制造商提供详尽的技术支持文档和培训材料,帮助用户更好地理解和使用该产品。客户可以通过400-655-8788联系服务热线,获取更专业的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 优化散热设计,增加散热片 |
    | 输出电压不稳定 | 检查电路接线是否正确,确保负载稳定 |
    | 漏电流过大 | 检查是否存在短路或击穿现象 |

    总结和推荐


    总体来看,NDD03N80ZT4G-VB 是一款在多种工业应用中表现优异的N沟道MOSFET。其高可靠性和低损耗特性使其非常适合于需要高能效和长寿命的应用场景。建议在服务器电源、太阳能逆变器以及其他要求苛刻的应用中优先考虑使用此产品。

NDD03N80ZT4G参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NDD03N80ZT4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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