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PMK30EP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-PMK30EP SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PMK30EP

PMK30EP概述

    PMK30EP-VB P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    PMK30EP-VB 是一款高性能的P沟道MOSFET,由VBsemi公司生产。该产品采用TrenchFET®技术,具备低导通电阻(RDS(on))和高耐压的特点。主要应用于负载开关和电池开关等场合。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):-30 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C:-9.0 A
    - TC = 70 °C:-7.2 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-30 A
    - 持续源漏二极管电流 (IS):-3.5 A (TC = 25 °C)
    - 最大功耗 (TC = 25 °C):4.2 W
    - 最大功率耗散 (TC = 70 °C):2.7 W
    - 工作结温和存储温度范围:-55 °C 到 150 °C
    - 热阻率
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):40 至 50 °C/W
    - 最大结到引脚热阻 (RthJF):24 至 30 °C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):-30 V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)):-1.0 至 -2.5 V
    - 阈值电压温度系数:4.5 mV/°C
    - 源漏导通电阻 (RDS(on)):0.018 Ω (VGS = -10 V, ID = -7.0 A)
    - 通态漏极电流 (ID(on)):-20 A (VDS ≤ -5 V, VGS = -10 V)
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss):455 pF (VDS = -15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss):180 pF
    - 反向传输电容 (Crss):145 pF (VDS = -15 V, VGS = -10 V, ID = -7.0 A)
    - 总栅极电荷 (Qg):25 nC (VDS = -15 V, VGS = -10 V, ID = -7.0 A)

    3. 产品特点和优势


    - 卤素无铅设计:符合IEC 61249-2-21标准定义。
    - 100%栅极电阻测试:确保产品质量可靠。
    - 低导通电阻:确保低功耗和高效率。
    - 高耐压和电流能力:适用于多种高压和高电流应用场景。
    - 快速开关特性:适用于需要快速响应的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:可用于各种电路的负载控制,如电源管理和电机控制。
    - 电池开关:适用于电池保护和管理,防止过充和过放。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热措施,避免温度过高导致损坏。
    - 选择合适的外部栅极电阻以优化开关速度和功耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:PMK30EP-VB 具有标准SO-8封装,可以轻松集成到现有的电路板设计中。
    - 技术支持:VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括产品选型、应用咨询和技术培训。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:长时间高电流运行时发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或采用外部风扇冷却,确保良好的散热环境。

    - 问题:开关频率过高导致可靠性降低。
    - 解决方案:优化外部电路设计,适当降低开关频率或增加缓冲电路。

    7. 总结和推荐


    PMK30EP-VB是一款性能优异的P沟道MOSFET,具备低导通电阻、高耐压和快速开关等优点,适用于多种高压和高电流应用场景。其卤素无铅设计和全面的技术支持使其在市场上具有很强的竞争力。推荐在需要高性能开关控制的应用中使用此产品。

PMK30EP参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.024Ω(typ) VGS = - 4.5 V,ID = - 5.6 A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 9A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 4.2W
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

PMK30EP厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PMK30EP数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PMK30EP PMK30EP数据手册

PMK30EP封装设计

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