处理中...

首页  >  产品百科  >  NDS356AP

NDS356AP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT23-3
供应商型号: 14M-NDS356AP SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDS356AP

NDS356AP概述

    NDS356AP-VB P-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NDS356AP-VB 是一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为移动计算应用设计。它主要应用于负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等领域。这款产品采用了先进的TrenchFET®技术,具有高可靠性和低导通电阻的特点。

    2. 技术参数


    NDS356AP-VB 的主要技术参数如下:
    - 额定电压(VDS): -30V
    - 最大连续漏极电流(ID): 2.5A @ VGS=-10V, TA=25°C
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 0.046Ω @ VGS=-10V
    - 0.049Ω @ VGS=-6V
    - 0.054Ω @ VGS=-4.5V
    - 总栅极电荷(Qg):
    - 11.4nC @ VGS=-4.5V
    - 24nC @ VDS=-15V
    - 门极电阻(Rg): 1.5~7.7Ω
    - 热阻抗(RthJA): 75~100°C/W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C to 150°C

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:通过100% Rg测试,确保在移动计算应用中的长期稳定运行。
    - 低导通电阻:即使在低电压下也能提供出色的导通性能,适合多种负载开关和转换器应用。
    - 优秀的温度特性:-55°C到150°C的工作温度范围,适用于各种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:例如笔记本电脑内部的电源管理电路。
    - 适配器开关:用于笔记本适配器的功率管理。
    - DC/DC转换器:作为关键组件调节电源输出。
    使用建议:
    - 在选择驱动器时,需要考虑NDS356AP-VB的Rg值,以确保适当的栅极驱动速度和稳定性。
    - 在高功率应用中,注意散热设计,确保器件工作在允许的温度范围内。

    5. 兼容性和支持


    NDS356AP-VB 尺寸为SOT-23封装,与标准的SOT-23封装兼容,易于集成到现有的PCB设计中。VBsemi提供了详尽的技术支持和售后服务,包括在线文档、样品申请和技术咨询等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:工作时发热严重。
    - 解决方案:增加散热措施,如外置散热片或风扇,确保良好的热管理。
    - 问题:启动时间过长。
    - 解决方案:优化驱动器电路,减少栅极电容,加快启动速度。

    7. 总结和推荐


    总结:
    NDS356AP-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,特别适用于移动计算应用中的电源管理和转换。它凭借其低导通电阻、高可靠性及宽温度范围,使其成为市场上极具竞争力的产品。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐给对高效率、紧凑型电源解决方案感兴趣的工程师和技术采购人员。无论是笔记本电脑还是其他便携式电子设备,NDS356AP-VB都能为其电源管理系统带来显著的提升。

NDS356AP参数

参数
Id-连续漏极电流 5.6A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 1
配置 p-channel
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
栅极电荷 11.4nC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.295nF@ 15V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 46mΩ@10V
最大功率耗散 2.5W
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NDS356AP厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDS356AP数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDS356AP NDS356AP数据手册

NDS356AP封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.2142
库存: 638
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 1.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336