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FQD12N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 32.1W 1个N沟道 100V 0.350Ω VGS = - 4.5 V,ID = - 3.4 A 8.8A TO-252 贴片安装
供应商型号: 14M-FQD12N10 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD12N10

FQD12N10概述

    电子元器件产品技术手册:FQD12N10-VB MOSFET

    1. 产品简介


    FQD12N10-VB是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的TrenchFET®技术设计,适合在高频开关应用中使用。其主要功能包括低导通电阻(RDS(on))、高耐压(100V)以及宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C)。该器件特别适用于需要高速开关的电力电子系统,如电源转换器、逆变器和电机驱动器。
    产品类型:N沟道增强型功率MOSFET
    主要功能:低阻抗、高效率开关操作
    应用领域:电源管理、电机控制、通信设备、消费电子产品

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 漏源电压 | VDS 100 V |
    | 漏极连续电流 | ID 13 | 40 | A |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS 1 | 50 | µA |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) 0.14 Ω |
    | 工作温度范围 | TJ | -55 +150 | °C |
    | 最大热阻抗(稳态) | RthJA | 15 18 | °C/W |
    注解:所有参数均需在指定测试条件下测量,具体详见技术手册。

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:极低的导通电阻(RDS(on)),确保高效电能转换,减少损耗。
    - 宽温范围:支持高温和低温操作,确保在恶劣环境中可靠运行。
    - 快速开关:快速的开关速度和较低的延迟时间,特别适合PWM电路。
    - RoHS合规:完全符合欧盟RoHS指令,环保且安全。
    - 高可靠性:经过100%动态栅极电阻测试,保证产品质量。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 主要侧开关:用于DC-DC转换器中的初级侧开关。
    - 负载驱动:适用于驱动小型电机或LED灯条。
    使用建议:
    - 在设计电源电路时,确保电路的电压等级与FQD12N10-VB的最大额定电压一致。
    - 避免长时间超过最大允许温度范围操作,以免影响器件寿命。
    - 使用适当的散热措施以提高可靠性,尤其是在高功率应用中。

    5. 兼容性和支持


    FQD12N10-VB具有良好的兼容性,可与其他标准TO-252封装的器件互换使用。供应商VBsemi提供了全面的技术支持,包括设计指导、样品供应和售后服务,帮助客户快速集成该产品到现有系统中。
    服务热线:400-655-8788

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 优化散热设计,增加外部散热片 |
    | 高压下导通电阻增大 | 检查电路设计是否匹配额定值 |
    | 寿命较短 | 避免过压、过流操作,保持在额定范围内 |

    7. 总结和推荐


    FQD12N10-VB是一款出色的功率MOSFET,凭借其优异的性能参数、广泛的应用场景及高度可靠性,在市场上具有很强的竞争力。推荐此产品用于需要高效率和高稳定性的电力电子系统。对于追求高性能和低成本的工程师而言,这无疑是一个理想的选择。
    最终评价:强烈推荐。

    如需进一步技术支持,请联系服务热线:400-655-8788。

FQD12N10参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 8.8A
Rds(On)-漏源导通电阻 0.350Ω VGS = - 4.5 V,ID = - 3.4 A
配置 -
最大功率耗散 32.1W
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD12N10厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD12N10数据手册

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FQD12N10封装设计

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