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VBZE2N60S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,2A,RDS(ON),2300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: VBZE2N60S TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE2N60S

VBZE2N60S概述


    产品简介


    VBZE2N60S 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET,采用O-220AB封装。该器件主要用于高电压隔离应用,适合于各种电源转换及控制电路。该MOSFET具有2.5kVRMS的高电压隔离能力,适用于需要高可靠性和高性能的应用场合。主要功能包括低热阻、快速开关特性以及动态dV/dt评级,使其成为高效能电源管理的理想选择。

    技术参数


    以下是VBZE2N60S的主要技术参数:
    - 漏源电压(VDS):600V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C时为2.0A
    - TC = 100°C时为1.6A
    - 脉冲漏极电流(IDM):10A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):250mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):2.5A
    - 重复雪崩能量(EAR):3.5mJ
    - 最大功率耗散(PD):35W
    - 结温(TJ):-55°C到+150°C
    - 引脚间距(Sink to Lead Creepage Distance):4.8mm
    - 热阻(RthJC):3.6°C/W
    - 零栅源电压漏极电流(IDSS):在VDS = 600V, VGS = 0V时最大为100μA
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS = 10V时为2.3Ω
    - 输入电容(Ciss):660pF
    - 输出电容(Coss):86pF
    - 反向传输电容(Crss):19pF
    - 总栅极电荷(Qg):31nC
    - 栅源电荷(Qgs):4.6nC
    - 栅漏电荷(Qgd):17nC
    - 峰值二极管恢复电压(dV/dt):3.0V/ns
    - 最高结温至环境温度的最大热阻(RthJA):65°C/W
    - 典型内部寄生电感(LD):4.5nH
    - 典型内部寄生电感(LS):7.5nH
    - 连续源漏二极管电流(IS):2.0A

    产品特点和优势


    VBZE2N60S具备以下显著特点和优势:
    - 高电压隔离:其2.5kVRMS的高电压隔离能力使其在高压应用中表现出色,可确保安全可靠运行。
    - 低热阻:低热阻设计有助于提升散热性能,从而保证长时间稳定工作。
    - 动态dV/dt评级:优秀的动态dV/dt评级使得该器件在快速开关操作中表现优异。
    - 低漏电流:在零栅源电压条件下,漏极电流低至100μA,增强了器件的整体效率。
    - 低导通电阻:在10V栅源电压下,导通电阻仅为2.3Ω,这使得器件在各种应用中具有出色的效率。
    这些特点使VBZE2N60S在电源管理和控制系统中具有广泛的应用前景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    VBZE2N60S特别适合用于高压直流/交流转换电路、电机驱动和开关电源。其高性能和高可靠性使其成为这些应用的理想选择。
    使用建议
    - 电路布局:确保电路布局中无明显寄生电感,以降低损耗。尽量减少引线长度,并采用接地平面以增强电磁干扰(EMI)防护。
    - 散热设计:由于器件的工作温度范围宽,且最大功率耗散较高,因此需采用适当的散热措施,如安装散热片或风扇。
    - 电压等级匹配:使用时务必注意选择合适的栅源电压,避免超过最大额定值,以防止损坏。
    - 保护措施:在高速开关条件下,适当添加保护电路如缓冲电路和箝位电路,以减轻电压瞬变对器件的影响。

    兼容性和支持


    VBZE2N60S与其封装类型相关的其他组件高度兼容。此外,制造商提供了详细的技术支持和维护文档,包括安装指南和故障排除建议。如需进一步技术支持,可联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过高的热阻导致发热过多 | 增加散热片或改进散热设计。 |
    | 漏电流过高 | 确保电压和电流条件不超过额定值。 |
    | 开关时间不理想 | 调整外部栅极电阻,以优化开关速度。 |
    | 过压损坏 | 添加缓冲电路和箝位电路以保护器件。 |

    总结和推荐


    VBZE2N60S是一款高度可靠的N沟道功率MOSFET,具备高电压隔离、低热阻和低漏电流等显著优势。其适用于多种高压和高可靠性应用场合。结合其高效的散热设计和详细的使用指导,该产品无疑是一个值得推荐的选择。如果您正在寻找一款能够在苛刻环境下稳定工作的MOSFET,VBZE2N60S将是一个非常合适的选择。

VBZE2N60S参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 2A
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.3Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE2N60S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE2N60S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE2N60S VBZE2N60S数据手册

VBZE2N60S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
2500+ ¥ 1.4077
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