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IRLR2908TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IRLR2908TR TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLR2908TR

IRLR2908TR概述

    IRLR2908TR-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRLR2908TR-VB 是一种适用于多种应用的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用了TrenchFET®技术,能够在高温环境下工作,适用于各种电力电子系统,如开关电源、电机驱动、照明系统等领域。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压: \(V{(BR)DSS} \geq 100 \text{V}\)
    - 栅源击穿电压: \(\pm 20 \text{V}\)

    - 电流参数:
    - 连续漏极电流: \(ID = 40 \text{A}\) (\(TJ = 175^\circ \text{C}\))
    - 脉冲漏极电流: \(I{DM} = 120 \text{A}\)

    - 电阻参数:
    - 导通电阻:
    - \(r{DS(on)} = 0.030 \Omega\) (\(V{GS} = 10 \text{V}\), \(ID = 5 \text{A}\))
    - \(r{DS(on)} = 0.067 \Omega\) (\(V{GS} = 10 \text{V}\), \(ID = 3 \text{A}\), \(TJ = 175^\circ \text{C}\))
    - 其他特性:
    - 工作温度范围: \(-55^\circ \text{C} \text{ 至 } 175^\circ \text{C}\)
    - 热阻: \(R{thJA} = 40 \degree\text{C/W}\) (\(TC = 25^\circ \text{C}\))
    - 最大功耗: \(PD = 107 \text{W}\) (\(TA = 25^\circ \text{C}\))

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET®技术: 高效降低导通电阻,提升性能和效率。
    - 高耐温性: 能够承受高达175°C的工作温度,适合极端环境下的应用。
    - 低热阻设计: 热阻仅为40°C/W,便于散热管理,提高可靠性。
    - 高电流处理能力: 脉冲漏极电流可达120A,适用于高负载需求的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 开关电源: IRLR2908TR-VB在高电流和高频率的开关电源中表现优异,能够减少能耗并提高效率。
    - 电机驱动: 在电动机控制系统中,该MOSFET能够有效控制电流,保证系统的稳定运行。

    - 使用建议:
    - 散热管理: 尽量采用较大的散热片或者使用散热胶增加热传导效率,确保MOSFET在高温下的稳定工作。
    - 保护措施: 在电路设计时添加过压和过流保护,以防止器件损坏。
    - 并联使用: 对于更高电流需求的应用,可以考虑将多个IRLR2908TR-VB并联使用,以分散电流,减少单个器件的应力。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: IRLR2908TR-VB可与市场上常见的电子元件和电路板适配,广泛应用于各类电力电子系统中。
    - 技术支持: VBsemi 提供全面的技术支持和服务,包括产品选型指导、应用咨询和技术文档下载。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: MOSFET在高电流条件下出现过热现象。
    - 解决方案: 加大散热片面积或使用导热材料辅助散热,调整工作频率或降低工作电流,减少热应力。
    - 问题: 设备启动时出现异常电流波动。
    - 解决方案: 检查电路中的滤波电容是否损坏或老化,更换新的电容或增加电容值。

    7. 总结和推荐


    IRLR2908TR-VB 是一款性能卓越的N沟道MOSFET,具有高效的TrenchFET®技术、高耐温性和低热阻等特点,适用于广泛的电力电子应用。其在高温、高电流条件下的稳定性和可靠性使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐在需要高功率转换的应用中使用这款产品。

IRLR2908TR参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@ 10V
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 40A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLR2908TR厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLR2908TR数据手册

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IRLR2908TR封装设计

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