处理中...

首页  >  产品百科  >  VBQA1308

VBQA1308

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.82Vth(V) 封装:QFN8(5X6)产品是一款单极性N 型 MOSFET,该产品适用于需要更高漏极电流和低导通电阻的应用场景
供应商型号: 14M-VBQA1308
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBQA1308

VBQA1308概述

    VBQA1308 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBQA1308 是一款高性能的 N 沟道 30 伏特(D-S)MOSFET,属于 TrenchFET® Power MOSFET 系列。该产品专为 OR-ing、服务器和 DC/DC 应用设计,具有卓越的电气特性和高可靠性。VBQA1308 的典型应用场景包括电源转换、储能系统和电机驱动等。

    2. 技术参数


    以下是 VBQA1308 的主要技术规格:
    - 工作电压 (VDS): 30 V
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): 0.5 ~ 2.0 V
    - 连续漏电流 (ID):
    - TC = 25 °C 时: 60 A
    - TA = 25 °C 时: 45 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 210 A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25 °C 时: 155 W
    - TA = 25 °C 时: 105 W
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V 时: 0.007 Ω
    - VGS = 4.5 V 时: 0.009 Ω
    - 热阻 (RthJA): 32 ~ 40 °C/W
    - 存储温度范围 (Tstg): -55 °C ~ 175 °C
    - 运行结温范围 (TJ): -55 °C ~ 175 °C

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET 技术:采用先进的沟槽技术,确保卓越的性能和低损耗。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:保证每颗器件的可靠性和一致性。
    - 符合 RoHS 标准:满足欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令要求,环保无害。
    - 高性能电气特性:如导通电阻 (RDS(on)) 极低,能够在多种环境下稳定工作。
    - 强大的短路保护能力:具备过流保护和抗冲击能力,延长使用寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - OR-ing 应用:适用于电源管理系统中的关键节点,可以高效切换并实现冗余备份。
    - 服务器电源:作为电源管理模块的一部分,提升系统的稳定性和效率。
    - DC/DC 转换器:用于不同电压等级间的电能转换,特别是在高功率需求的场合下表现优异。
    使用建议:
    - 散热管理:建议使用良好的散热器和散热片来降低工作温度,确保长期稳定运行。
    - 电路设计:选择合适的栅极电阻 (Rg),以控制开关速度和减少功耗。
    - 测试验证:进行充分的温度和电流测试,确保器件在极限条件下也能正常工作。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:VBQA1308 具有良好的兼容性,可以与其他常见的电源管理和转换电路模块轻松集成。
    - 支持:提供详细的安装指南和技术支持文档,服务热线 400-655-8788 可获取进一步的技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:过高的工作温度如何解决?
    - 解决办法:确保良好的散热设计,使用散热片和风扇来降低工作温度。
    - 问题二:如何避免短路损坏?
    - 解决办法:合理设置电路保护装置,如保险丝和断路器,防止电流过载。

    7. 总结和推荐


    综上所述,VBQA1308 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,适合于多种高要求的应用场景。其低导通电阻、出色的热管理和严格的测试标准,使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐此产品给需要高性能电源管理解决方案的客户。
    联系我们获得更多信息和详细支持:
    服务热线:400-655-8788
    官网:www.VBsemi.com

VBQA1308参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 80A
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 820mV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBQA1308厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBQA1308数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBQA1308 VBQA1308数据手册

VBQA1308封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.43
库存: 495
起订量: 5 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 7.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336