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IPD50N06S4-09

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD50N06S4-09 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD50N06S4-09

IPD50N06S4-09概述


    产品简介


    IPD50N06S4-09-VB 是一款高性能的 N-Channel TrenchFET® 功率 MOSFET,适用于高电压和高电流的应用场景。其额定电压为60V,额定温度可达175°C,特别适合于汽车、工业控制和电源管理等领域。TrenchFET® 技术使得该产品在降低导通电阻的同时,提供了卓越的热性能和可靠性。

    技术参数


    - 最大结温(TJ): 175°C
    - 漏源击穿电压(VDS): 60V
    - 最大连续漏极电流(ID): 50A @ TJ = 175°C
    - 最大脉冲漏极电流(IMD): 100A
    - 最大功耗(PD): 136W @ TA = 25°C
    - 门阈值电压(VGS(th)): 123mV
    - 门体泄漏电流(IGSS): ±100nA
    - 零栅压漏极电流(IDSS): 1µA @ VDS = 60V, TJ = 125°C
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 0.010Ω @ VGS = 10V
    - 0.013Ω @ VGS = 4.5V, ID = 15A
    - 反向恢复时间(trr): 45ns @ IF = 20A, di/dt = 100A/µs
    - 热阻抗(RthJA): 15°C/W (稳态),18°C/W (脉冲)
    - 封装形式: TO-252

    产品特点和优势


    1. 高温耐受性: IPD50N06S4-09-VB 可以在高达175°C的结温下稳定工作,保证了在极端环境下的可靠性能。
    2. 低导通电阻: 最低导通电阻为0.010Ω @ VGS = 10V,极大地降低了功率损耗。
    3. 优秀的动态性能: 出色的开关速度和低反向恢复时间,使其非常适合高频应用。
    4. 耐用的TrenchFET® 技术: 这种先进的结构不仅提高了效率,还增强了产品的长期可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 工业自动化: IPD50N06S4-09-VB 的高温耐受性和低导通电阻使其在工业自动化系统中发挥重要作用,例如电机驱动和电源转换。
    - 汽车电子: 在汽车电子领域,这款 MOSFET 能够应对发动机舱内的高温环境,确保汽车电气系统的稳定运行。
    - 建议使用: 在设计电路时,建议尽量利用其低导通电阻的优势来减少发热,并考虑外部散热措施以优化整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品采用标准的 TO-252 封装,易于与其他电子元件进行集成。
    - 支持和服务: VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册和技术文档,以及专业的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 温度超过175°C是否会损坏器件?
    - 解答: 绝对最大额定值是指器件在短时间内可以承受的最大应力,但不建议长期在此条件下工作。如有需要,可采用额外的散热措施来防止过热。

    - 问题: 如何确保在高压环境中不会发生击穿?
    - 解答: 确保漏源电压不超过60V,并遵循正确的电路设计和保护措施,如使用合适的栅极电阻。

    总结和推荐


    IPD50N06S4-09-VB 在高温环境下表现出色,具有低导通电阻和良好的动态性能,是适用于工业和汽车领域的理想选择。尽管价格可能略高于同类产品,但其卓越的性能和可靠性使它成为值得投资的选择。我们强烈推荐使用该产品,特别是在要求高性能和高可靠性的应用中。

IPD50N06S4-09参数

参数
最大功率耗散 2.5W
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
配置 -
栅极电荷 41nC@ 10V
Id-连续漏极电流 10A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.62nF@ 25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.9V@ 100uA
Rds(On)-漏源导通电阻 13.4mΩ@ 10V,10A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD50N06S4-09厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD50N06S4-09数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD50N06S4-09 IPD50N06S4-09数据手册

IPD50N06S4-09封装设计

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