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ZXMN6A09GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,7A,RDS(ON),24mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT223
供应商型号: 14M-ZXMN6A09GTA SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA概述

    ZXMN6A09GTA-VB 60V N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    ZXMN6A09GTA-VB 是一款由 VBsemi 推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于其 TrenchFET® 系列。该产品以其卓越的电气特性和可靠性,在多种应用中表现出色,尤其适合于需要高开关频率、低功耗和高温工作的场合。ZXMN6A09GTA-VB 主要用于汽车、工业控制、电源管理等领域,是开关电源(SMPS)、电机驱动、LED 驱动器和其他高频转换器的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是根据技术手册提取的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | — | — | 60 | V |
    | 栅极开启电压 | VGS(th) | 1 | 3 | — | V |
    | 栅极-漏极电容 | CGD | 5.3 | — | — | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 18 | 27 | — | nC |
    | 导通电阻(典型) | RDS(on) | 0.028 | 0.032 | 0.040 | Ω |
    | 最大持续漏极电流(Ta=25℃) | ID | 7.0 | — | — | A |
    | 最大耗散功率(Ta=25℃) | PD | 3.3 | — | — | W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | — | 175 | ℃ |
    - 特色说明:
    - 符合无卤素(Halogen-free)标准(IEC 61249-2-21)。
    - 温度范围宽广:最高结温可达 175℃。
    - RoHS 合规性:符合欧盟《限制有害物质指令》(RoHS Directive 2002/95/EC)。
    - 支持短脉冲工作模式,峰值电流高达 40A。

    3. 产品特点和优势


    - 高性能 TrenchFET® 技术:通过创新的沟槽结构,显著降低导通电阻,提高效率。
    - 高可靠性:能够在极端环境下运行(-55 至 +175℃),适合恶劣的工作条件。
    - 低功耗设计:低导通电阻(RDS(on))有效减少功耗,延长系统使用寿命。
    - 环保友好:采用无卤素和 RoHS 合规材料,满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXMN6A09GTA-VB 广泛应用于以下场景:
    - DC-DC 转换器:作为主开关管,实现高效电源转换。
    - LED 驱动电路:高效率驱动,确保长寿命和高可靠性。
    - 电机驱动器:快速响应和高耐压特性使其成为理想选择。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,注意 PCB 设计中的热管理和电流路径优化。
    - 脉冲模式下,避免连续工作时间过长,以免超过最大允许温度。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:可直接替换市场上其他主流 N 沟道 MOSFET,无需额外设计改动。
    - 支持服务:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持热线(400-655-8788),并定期更新产品规格。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 增加散热片,优化 PCB 散热布局 |
    | 导通电阻偏高 | 检查焊接质量,确保良好接触 |
    | 长期工作后性能下降 | 更换新模块,检查环境温度是否超标 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,ZXMN6A09GTA-VB 是一款性能优异、功能全面的 N 沟道功率 MOSFET。凭借其高可靠性、环保特性及广泛的适用性,该产品非常适合作为高性能应用的核心器件。我们强烈推荐此产品用于需高效、耐用解决方案的工业和消费类电子产品设计中。
    如有进一步需求,请联系 VBsemi 官方服务热线(400-655-8788)。
    最终评分:★★★★★(5/5)

ZXMN6A09GTA参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 6A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.04Ω@VGS = 10 V,ID = 6 A,TJ = 175 °C(typ)
最大功率耗散 1.7W
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

ZXMN6A09GTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMN6A09GTA数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA数据手册

ZXMN6A09GTA封装设计

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