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NCE55P04S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P+P沟道 -60V -5.3A 59mΩ@-10V SO-8
供应商型号: 14M-NCE55P04S SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE55P04S

NCE55P04S概述

    NCE55P04S-VB MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    NCE55P04S-VB 是一款由台湾VBsemi电子公司生产的双P沟道60V(D-S)MOSFET。它采用先进的TrenchFET® Power MOSFET技术,旨在为负载开关和其他电力应用提供高效可靠的解决方案。该产品广泛应用于电源管理和负载开关等领域。

    技术参数


    以下是NCE55P04S-VB的一些关键技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) | - | -60 | - | V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±20 V |
    | 连续漏极电流 (ID) | - | -5.3 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | - | -32 | - | A |
    | 正向连续二极管电流(IS)| - | -4.1 | - | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量(EAS) | - | 20 | mJ |
    | 最大功率耗散 (PD) | - | 4.0 | - | W |
    | 结温范围 (TJ) | -55 150 | °C |

    产品特点和优势


    - 无卤素设计:符合RoHS标准,适合绿色电子产品生产。
    - 100% UIS测试:确保产品可靠性高,适用于工业级应用。
    - TrenchFET® Power MOSFET技术:提升电流处理能力和热稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:NCE55P04S-VB特别适合用于负载开关中,以实现高效的电流控制。
    - 电源管理:由于其低导通电阻(RDS(on)),可以有效地减少发热并提高效率。
    - 推荐使用建议:在实际应用中,需要根据具体工作条件选择合适的驱动电路,保证栅极信号的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    - 该产品与现有的大多数标准SO-8封装兼容。
    - 台湾VBsemi公司提供详细的技术支持文档和售后服务,客户可以随时联系服务热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:栅源电压超出范围导致损坏。
    - 解决方案:严格控制输入信号的电压范围,避免超过±20V。
    - 问题2:高温环境下工作温度异常。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或外部冷却装置来降低工作温度。

    总结和推荐


    NCE55P04S-VB是一款性能优越且可靠性高的双P沟道MOSFET,尤其适合需要高效电力控制的应用场合。虽然价格相对较高,但考虑到其卓越的性能和广泛的适用范围,我们强烈推荐在专业和工业级项目中选用此产品。

NCE55P04S参数

参数
最大功率耗散 3W
配置 -
FET类型 2个P沟道
栅极电荷 17nC
Rds(On)-漏源导通电阻 59mΩ@10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 55V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.345nF
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.6V
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 2
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NCE55P04S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE55P04S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE55P04S NCE55P04S数据手册

NCE55P04S封装设计

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