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VBZE5N65S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: VBZE5N65S TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE5N65S

VBZE5N65S概述


    产品简介


    VBZE5N65S 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种高压电力转换应用。 这款 MOSFET 配备了多种引脚封装选项,如 TO-220AB、TO-252 和 TO-251 等,适合不同的安装需求。这款器件具有低门极电荷(Qg)特性,简化了驱动要求;同时具有改进的门极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性。通过完全表征的电容和雪崩电压及电流特性,确保其在高可靠性电力系统中的优异表现。符合 RoHS 指令 2002/95/EC 的标准,使得它成为许多现代电子产品中的首选器件。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | - | ±30 | V |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 饱和漏极电流(VGS = 10V) | ID | - | - | 5 | A |
    | 动态漏极电流 | IDM | - | - | 16 | A |
    | 雪崩能量 | EAS | - | - | 120 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 205/35/30 | W |
    | 二极管恢复电压 | dV/dt | - | - | 4.5 | V/ns |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +150 | °C |

    产品特点和优势


    VBZE5N65S MOSFET 在以下几个方面具备显著的优势:
    1. 低门极电荷(Qg):简化了驱动要求,降低了驱动电路的设计复杂度。
    2. 增强的耐用性:具备改进的门极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,适用于严苛的工作环境。
    3. 完全表征的电容和雪崩特性:提供可靠的电压和电流特性,确保产品在高可靠性的电力系统中表现出色。
    4. RoHS 兼容性:符合环保要求,适用于绿色产品设计。

    应用案例和使用建议


    VBZE5N65S MOSFET 适用于多种电力转换应用,如开关电源、电机驱动器和逆变器等。
    1. 开关电源:由于其低门极电荷和高功率密度,适用于各类开关电源的设计。
    2. 电机驱动器:具备的高耐压能力和雪崩特性使其成为电机驱动器的理想选择。
    3. 逆变器:适用于太阳能逆变器和其他电力变换设备。
    建议:
    - 在设计电路时,考虑散热需求,确保 MOSFET 在正常工作范围内。
    - 使用推荐的门极电阻(RG)以避免过高电压导致的损坏。

    兼容性和支持


    VBZE5N65S MOSFET 支持多种封装,如 TO-220AB、TO-252 和 TO-251, 可以方便地应用于不同尺寸的电路板上。厂商提供详尽的技术支持和维护服务,包括产品规格文档、应用指南和故障排除工具等。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: MOSFET 启动时出现过高的电压尖峰。
    - 解决办法: 增加门极电阻(RG)以减缓开关速度,减少电压尖峰。

    2. 问题: 产品在高频率工作时出现过热。
    - 解决办法: 优化散热设计,使用合适的散热片或风扇以保持结温在安全范围内。

    总结和推荐


    VBZE5N65S MOSFET 是一款高性能、多功能的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高压电力转换应用。其低门极电荷、增强的耐用性和完全表征的特性使其在市场上具有较强的竞争力。 推荐用户在选择合适的高压电力转换解决方案时优先考虑此产品,特别是在需要高可靠性和紧凑设计的应用场景中。

VBZE5N65S参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBZE5N65S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE5N65S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE5N65S VBZE5N65S数据手册

VBZE5N65S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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