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VBJ2102M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-3A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT-223
供应商型号: 14M-VBJ2102M SOT-223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBJ2102M

VBJ2102M概述

    P-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel 100-V MOSFET 是一款高性能的场效应晶体管(FET),具有卓越的开关特性和较低的导通电阻。该产品主要用于中间直流/直流电源的主动钳位电路和照明应用中的H桥高端开关。它能够在高电压环境下稳定工作,并且在多种电力电子系统中表现优异。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 连续漏电流 (ID): -3.0 A (TC = 25°C), -2.1 A (TC = 70°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 12 A
    - 最大功率耗散 (PD): 6.5 W (TC = 25°C), 4.8 W (TC = 70°C)
    - 热阻 (RthJA): 33°C/W (最大), 40°C/W (典型)
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS): 100 V (ID = -250 µA)
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): -2 ~ -4 V (ID = -250 µA)
    - 零栅压漏电流 (IDSS): -1 µA (VDS = -100 V, VGS = 0 V)
    - 正向转移电导 (gfs): 12 S (VDS = -15 V, ID = 3 A)
    - 总栅极电荷 (Qg): 17.5 nC (VDS = -50 V, VGS = -10 V, ID = -3 A)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 819 pF (VDS = -35 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 51 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 32 pF
    - 栅极电阻 (Rg): 6.1 Ω (f = 1 MHz)
    - 导通延时时间 (td(on)): 10 ~ 20 ns (VDD = -50 V, RL = 25 Ω, ID ≈ -3 A, VGEN = -6 V, Rg = 1 Ω)

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:该技术提高了器件的开关速度和整体性能。
    2. 高可靠性:通过了100%的栅极电阻 (Rg) 和雪崩耐受测试 (UIS)。
    3. 宽工作温度范围:可在-55°C到150°C的温度范围内稳定工作。
    4. 低导通电阻:在VGS = -10 V时,RDS(on) 仅为0.200 Ω。

    应用案例和使用建议


    1. 主动钳位电路:用于中间直流/直流电源中的主动钳位电路,可以有效减少能量损耗并提高转换效率。
    2. H桥高端开关:在照明应用中的H桥高端开关设计中,能够提供更稳定的电压调节。
    使用建议:
    - 在使用过程中,应注意避免超过绝对最大额定值,以免对器件造成永久性损坏。
    - 确保电路设计中有足够的散热措施,特别是在高负载条件下。
    - 为防止电磁干扰,可以在设计中加入适当的滤波电路。

    兼容性和支持


    - 封装形式:SOT-223,便于表面贴装。
    - 厂商支持:提供详细的技术文档和在线技术支持。请联系厂商获取进一步的支持和服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最大功率耗散?
    - 解决方法:根据TC = 25°C时的最大值6.5 W进行计算,若需要更高的散热效果,可参考其他条件下的值。

    2. 问题:在高电流条件下如何保持稳定性?
    - 解决方法:确保电路中采用合适的热管理措施,如散热片或强制风冷。

    总结和推荐


    P-Channel 100-V MOSFET凭借其优秀的性能和广泛的应用场景,在电力电子领域表现出色。它具备快速开关、低导通电阻和高可靠性等特点,适用于多种高电压应用。综合考虑,强烈推荐此款MOSFET用于需要高性能开关的应用场合。

VBJ2102M参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@10V,240mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Id-连续漏极电流 3A
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBJ2102M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBJ2102M数据手册

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VBJ2102M封装设计

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