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J304

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-12A,RDS(ON),100mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-J304 TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J304

J304概述

    J304-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    J304-VB 是一款高性能的P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),由VBsemi公司设计制造。它主要应用于负载开关和其他需要高可靠性、高效能的应用场景中。该器件采用了TrenchFET®技术,具有极低的导通电阻和优异的热稳定性,适用于多种工业和消费电子产品中。

    技术参数


    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = -10 V 时,ID = -5 A 的条件下,典型值为 0.150Ω,在 125°C 下升至 0.200Ω。
    - 在 VGS = -4.5 V 时,ID = -2 A 的条件下,典型值为 0.120Ω。
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): -60V
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): -1.0 ~ -3.0 V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): 在 VDS = -60 V, VGS = 0 V, TJ = 125°C 时,典型值为 -50 µA;在 TJ = 175°C 时,最大值为 -150 µA。
    - 连续漏极电流 (ID): 在 25°C 时为 -20 A,在 100°C 时降为 -12 A。
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 最大值为 -60 A。
    - 输入电容 (Ciss): 在 VDS = -25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz 条件下,典型值为 550 pF。
    - 输出电容 (Coss): 95 pF。
    - 反向传输电容 (Crss): 60 pF。
    - 总栅极电荷 (Qg): 12.5 nC。
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 2.3 nC。
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 3.2 nC。
    - 开关时间特性:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 5~10 ns。
    - 上升时间 (tr): 14~25 ns。
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 15~25 ns。
    - 下降时间 (tf): 7~12 ns。

    产品特点和优势


    J304-VB 的主要优势在于其极低的导通电阻,这使得其在各种负载开关应用中表现出色。采用的 TrenchFET® 技术不仅提升了器件的导电效率,还增强了热稳定性和耐用性。此外,该器件已通过 100% UIS 测试,确保了其在极端条件下的可靠性能。这些特性使其成为高功率应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    J304-VB 可用于负载开关应用,例如电池管理系统、电源转换电路、汽车电子设备等。在使用时,需要注意根据具体应用要求选择合适的驱动电路,并确保提供足够的散热措施以维持长期稳定运行。例如,在电池管理系统的充电电路中,可以利用 J304-VB 实现高效的充放电控制,提高系统整体效率。

    兼容性和支持


    J304-VB 采用 TO-220 FULLPAK 封装,尺寸为 15.88 mm 至 16.12 mm(d1)。其引脚布局符合行业标准,便于与现有的电路板设计兼容。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的电气特性和物理特性文档,以帮助客户更好地理解和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题一: 器件出现过热现象。
    - 解决方法: 确保在合适的工作温度范围内操作,并提供足够的散热措施,如加装散热片或改进散热设计。
    - 问题二: 开关速度慢。
    - 解决方法: 检查驱动电路,确保信号频率匹配,必要时更换驱动芯片或优化电路设计。

    总结和推荐


    总体而言,J304-VB P-Channel MOSFET 是一款性能优越、适用范围广的电子元器件,特别适合于需要高效能和高可靠性的应用场景。其出色的导通电阻、快速的开关速度和良好的热稳定性使其成为多种工业和消费电子产品的理想选择。强烈推荐在设计需要高可靠性和高效率的应用时考虑使用此器件。

J304参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

J304厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J304数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J304 J304数据手册

J304封装设计

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