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ZXMN10A08E6TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,3.2A,RDS(ON),100mΩ@10V,127mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: 14M-ZXMN10A08E6TA SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA概述

    ZXMN10A08E6TA-VB MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    ZXMN10A08E6TA-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道100V耐压(漏极-源极)功率MOSFET。它采用了先进的TrenchFET®工艺技术,具备低导通电阻、卤素自由等特性,适用于直流/直流转换器及高速开关等应用场景。这些特点使其在电力电子系统中表现出色,尤其适合要求高效能和稳定性的场合。

    2. 技术参数


    以下是ZXMN10A08E6TA-VB的主要技术规格:
    - 耐压范围:100V
    - 导通电阻:在VGS = 10V时,RDS(on) = 0.095Ω;在VGS = 4.5V时,RDS(on) = 0.105Ω
    - 连续漏极电流:TJ = 25°C时,ID = 3.2A;TJ = 150°C时,ID = 2.8A
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 25A(t ≤ 300μs)
    - 电源损耗:TJ = 25°C时,PD = 2.5W;TJ = 70°C时,PD = 1.6W
    - 存储温度范围:-55°C至150°C
    - 封装热阻:TJ到环境最大值,RthJA = 75°C/W;TJ到引脚最大值,RthJF = 40°C/W

    3. 产品特点和优势


    ZXMN10A08E6TA-VB的主要特点如下:
    - 低导通电阻:有助于降低功耗和提高效率。
    - 卤素自由:符合IEC 61249-2-21标准,对环境友好。
    - 高温稳定性:工作温度范围宽,能够在-55°C到150°C之间稳定工作。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令,适用于各类电气电子产品。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:ZXMN10A08E6TA-VB广泛应用于各种直流/直流转换器和高速开关电路。例如,在电动车充电器中,它可以用于将高压电转换为合适的电压水平以供电电池。
    使用建议:
    - 散热设计:由于该器件在高电流下工作会产生较大热量,因此需要良好的散热设计以确保长期稳定运行。
    - 驱动电路:为了实现最佳性能,建议使用合适的驱动电路以确保栅极电压在有效范围内变化。

    5. 兼容性和支持


    ZXMN10A08E6TA-VB采用了TSOP-62封装,易于表面贴装。它与其他常见的MOSFET驱动电路兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括在线资料、电话客服和邮件咨询,确保客户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下,器件性能下降。
    解决方案:确保电路中有良好的散热措施,如使用散热片或散热风扇,保证器件处于安全工作温度范围内。
    - 问题2:启动时栅极电压不足导致导通时间延迟。
    解决方案:使用合适的栅极电阻(Rg),通常在1到10欧姆之间,以优化器件的开关特性。

    7. 总结和推荐


    总体而言,ZXMN10A08E6TA-VB是一款性能优越的N沟道MOSFET,特别适用于直流/直流转换器和高速开关的应用场合。其出色的导通电阻、高温稳定性以及环境友好的特性使其在市场上具有较强的竞争力。如果您正在寻找一款可靠且高效的MOSFET,强烈推荐选择ZXMN10A08E6TA-VB。

ZXMN10A08E6TA参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Id-连续漏极电流 3.2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 2.5W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 424pF
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 0.105Ω(typ) VGS 4.5 V,ID = 2 A
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

ZXMN10A08E6TA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMN10A08E6TA数据手册

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