处理中...

首页  >  产品百科  >  FDD5N50NZTM

FDD5N50NZTM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO252
供应商型号: 14M-FDD5N50NZTM TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDD5N50NZTM

FDD5N50NZTM概述

    FDD5N50NZTM-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDD5N50NZTM-VB 是一款高性能的N-通道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),主要用于开关电源、电机驱动、照明系统及各种工业控制应用。它具有低门极电荷(Qg)和高击穿电压(VDS),使得驱动要求简单且能够承受较高的工作电压。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 门极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.95 | - | Ω |
    | 门极电荷 | Qg | - | 15 | - | nC |
    | 门极-源极电荷 | Qgs | - | 3 | - | nC |
    | 门极-漏极电荷 | Qgd | - | 6 | - | nC |
    | 零门极电压漏极电流 | IDSS | - | - | 100 | µA |
    | 峰值二极管恢复电压 | dV/dt | - | 4.5 | V/ns |

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷(Qg):减少了驱动电路的设计复杂度,简化了驱动需求。
    - 增强的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性:提高了整体耐久性和可靠性。
    - 全面的电容和雪崩电压/电流特征化:确保了性能的一致性和稳定性。
    - 符合RoHS指令2002/95/EC:满足环保要求,适用于各种商业和工业应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:用于各类直流到直流转换器,如降压和升压转换器。
    - 电机驱动:用于交流和直流电机的高效驱动。
    - 照明系统:适用于LED驱动和调光控制系统。
    使用建议:
    - 在设计开关电源时,应考虑门极电荷对系统开关频率的影响。
    - 在电机驱动应用中,注意选择合适的驱动电阻以避免电流过冲。
    - 对于高温环境下的应用,应特别关注最大功率耗散(PD)以防止热失控。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - FDD5N50NZTM-VB 可与标准的栅极驱动器兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持主流的印刷电路板(PCB)布局设计工具,方便工程师进行设计。
    支持和维护:
    - 提供详细的技术手册和测试电路图,帮助用户更好地理解和使用该产品。
    - 客户技术支持热线400-655-8788,随时解答客户在使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 降低门极电阻以加快开关速度。 |
    | 散热不良 | 使用散热片或其他冷却方法来降低工作温度。 |
    | 电磁干扰(EMI) | 优化栅极驱动波形和减少外部噪声源。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    FDD5N50NZTM-VB N-Channel MOSFET 具有高可靠性、低功耗和广泛的应用范围,适用于多种工业和商业应用场景。其独特的低门极电荷设计使其成为高效的开关电源和电机驱动的理想选择。
    推荐:
    对于需要高可靠性和效率的应用场合,强烈推荐使用FDD5N50NZTM-VB。无论是电源转换还是电机控制,它都能提供出色的性能和可靠性。

FDD5N50NZTM参数

参数
Id-连续漏极电流 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 320pF
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDD5N50NZTM厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDD5N50NZTM数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM数据手册

FDD5N50NZTM封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.1445
库存: 95
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 10.72
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336