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ZXMP6A13GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-6.5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT223
供应商型号: 14M-ZXMP6A13GTA SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMP6A13GTA

ZXMP6A13GTA概述

    ZXMP6A13GTA-VB P-Channel 60-V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    ZXMP6A13GTA-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 P-Channel 60-V 沟槽场效应晶体管(TrenchFET® Power MOSFET)。该器件主要用于负载开关应用中,如电源管理、电机驱动及其它高电压应用场合。这款 MOSFET 配备坚固的设计和严格的测试标准,能够提供卓越的性能和可靠性。

    技术参数


    以下是 ZXMP6A13GTA-VB 的主要技术参数:
    - 最大栅极-源极电压 (VGS):±20 V
    - 最大漏-源极电压 (VDS):60 V
    - 连续漏电流 (TJ = 150 °C):ID ≤ 70 A
    - 脉冲漏电流 (IDM):≤ 25 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):10.1 mJ
    - 最大功率耗散 (TJ = 25 °C):PD ≤ 10.4 W
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = -10 V 下 ≤ 0.0 Ω,在 VGS = -4.5 V 下 ≤ 30 nΩ
    - 输入电容 (Ciss):≤ 1500 pF
    - 输出电容 (Coss):≤ 200 pF
    - 反向传输电容 (Crss):≤ 150 pF
    - 栅极总电荷 (Qg):在 VGS = -10 V 下 ≤ 38 nC,在 VGS = -4.5 V 下 ≤ 19 nC
    - 存储温度范围 (Tstg):-55 °C 至 150 °C
    - 热阻 (RthJA):33-40 °C/W
    - 热阻 (RthJC):0.98-1.2 °C/W

    产品特点和优势


    ZXMP6A13GTA-VB 的主要特点是其采用 TrenchFET® 技术,这种技术能够显著降低导通电阻,提高能效。此外,100% UIS 测试确保每个器件都经过严格测试,以保证产品质量和可靠性。其卓越的性能使其在高电压和大电流应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    ZXMP6A13GTA-VB 主要用于负载开关应用,例如电源管理、电机驱动和其他高电压电路。以下是一些使用建议:
    1. 负载开关应用:ZXMP6A13GTA-VB 可以用作开关电源的控制器件,提高系统的稳定性和效率。
    2. 电机驱动应用:其高耐压和低导通电阻使得它非常适合用于电机驱动系统,减少损耗并提高响应速度。
    3. 高电压电路:在需要处理高电压的应用中,ZXMP6A13GTA-VB 可以提供必要的保护和稳定性。
    建议在使用时注意散热设计,避免器件过热。此外,根据具体应用选择合适的驱动信号,以充分利用其高效能特性。

    兼容性和支持


    ZXMP6A13GTA-VB 采用了标准 SOT-223 封装,方便与其他主流 PCB 设计兼容。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的使用问题及其解决方案:
    1. 问题:开机时过流保护
    - 解决方法:检查电路连接是否正确,确认是否有短路情况。必要时增加适当的限流电阻。
    2. 问题:器件发热严重
    - 解决方法:检查散热设计,增加散热片或者改进 PCB 设计以提高散热效果。
    3. 问题:漏电流过高
    - 解决方法:检查器件是否受潮或损坏,更换新的器件以排除故障。

    总结和推荐


    ZXMP6A13GTA-VB 是一款高性能的 P-Channel 60-V MOSFET,适用于多种高电压和大电流应用场合。其出色的性能和可靠性使其成为市场上的佼佼者。强烈推荐在负载开关、电源管理和电机驱动等领域使用该产品。对于追求高性能和高可靠性的应用,ZXMP6A13GTA-VB 绝对是一个值得信赖的选择。

ZXMP6A13GTA参数

参数
FET类型 2个P沟道
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.5nF
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@ 10V
最大功率耗散 10.4W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
栅极电荷 56nC
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 6.5A
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZXMP6A13GTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMP6A13GTA数据手册

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