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FQD2N80TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO252
供应商型号: 14M-FQD2N80TM TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD2N80TM

FQD2N80TM概述

    FQD2N80TM-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FQD2N80TM-VB 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明等领域。此外,这款 MOSFET 还适用于工业应用,如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源系统(尤其是太阳能逆变器)等。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 800 V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ± 30 V
    - 漏极连续电流 \( ID \)(TJ = 150 °C):
    - \( TC = 25 °C \) 下为 2.8 A
    - \( TC = 100 °C \) 下为 1.8 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 5 A
    - 最大功耗 \( PD \): 62.5 W
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55 °C 至 +150 °C
    - 特性参数
    - 典型导通电阻 \( R{DS(on)} \)(25 °C,\( V{GS} = 10 V \)): 2.38 Ω
    - 最大栅电荷 \( Qg \): 90 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 11 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 19 nC
    - 动态参数
    - 输出电容 \( C{oss} \): 20 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): -6 pF
    - 开关时间参数:例如,开启延迟时间 \( t{d(on)} \) 为 11 ns
    - 其他特性
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 14 mJ
    - 温度系数 \( \Delta V{DS}/\Delta TJ \): 参考至 25 °C 时为 -1.0 V/°C
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0 V 至 4.0 V
    - 栅源泄漏电流 \( I{GSS} \): ± 100 nA(\( V{GS} = \pm 20 V \))

    3. 产品特点和优势


    - 低图数值 \( FOM \): \( R{on} \times Qg \) 非常低,这意味着低导通损耗和低栅电荷。
    - 低输入电容 \( C{iss} \): 输入电容低,有助于减少开关损耗。
    - 低雪崩能量 \( UIS \): 支持高可靠性操作。
    - 超低栅电荷 \( Qg \): 进一步减少了开关损耗。
    - 高可靠性: 设计用于在各种恶劣环境下工作。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: 适用于高压环境下的电源转换。
    - 开关模式电源 (SMPS): 高效的开关操作可以降低能耗。
    - 高密度 LED 照明系统: 低损耗和快速开关使得它们在驱动 LED 方面表现出色。
    - 工业焊接和加热: 能够在高温和高压环境中可靠运行。
    使用建议:
    - 在设计电路时要确保充分的散热管理,尤其是在高温环境下使用时。
    - 使用合适的栅极驱动电阻以优化开关时间和减少开关损耗。
    - 注意布局和 PCB 布线以减少寄生电感和电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 这款 MOSFET 通常与同类产品兼容,可用于替代现有设计中的相似组件。
    - 支持和维护: Taiwan VBsemi 提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决任何使用过程中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关时间过长。
    - 解决方案: 调整栅极电阻以优化开关速度。
    - 问题: 高温下稳定性下降。
    - 解决方案: 确保有效的散热措施,如增加散热片或采用散热膏。
    - 问题: 导通电阻增加。
    - 解决方案: 检查电路是否存在过高电压或电流,确保符合额定值。

    7. 总结和推荐


    总体而言,FQD2N80TM-VB N-Channel MOSFET 具有出色的导通特性和高效的开关性能,尤其适合在高压、高温和高可靠性要求的应用中使用。它的低损耗特性使其成为服务器电源、电信设备和工业应用的理想选择。强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的场合使用这款产品。

FQD2N80TM参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 330pF@25V
Id-连续漏极电流 9.7A
最大功率耗散 48W
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 10V,5.7A
配置 -
栅极电荷 25nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FQD2N80TM厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD2N80TM数据手册

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FQD2N80TM封装设计

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