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FDC642P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: 14M-FDC642P SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDC642P

FDC642P概述

    FDC642P-VB P-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDC642P-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的P沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的TrenchFET技术制造,适用于负载开关等应用场合。由于其低导通电阻和高电流承载能力,这款MOSFET在众多电子设备中发挥着关键作用。

    技术参数


    - 主要特性:
    - 无卤素,符合IEC 61249-2-21标准
    - TrenchFET® 功率MOSFET
    - 绝对最大额定值(TA = 25°C,除非另有说明):
    - 漏源电压 VDS: -30 V
    - 栅源电压 VGS: ± 20 V
    - 连续漏极电流 ID: 4.8 A (TC = 25°C), 4.1 A (TC = 70°C)
    - 脉冲漏极电流 IDM: -20 A
    - 最大功耗 PD: 3.0 W (TC = 25°C), 2.0 W (TC = 70°C)
    - 工作结温和存储温度范围 TJ: -55°C 至 150°C
    - 静态规格(TJ = 25°C,除非另有说明):
    - 漏源击穿电压 VDS: -30 V (VGS = 0 V, ID = -250 µA)
    - 漏源导通电阻 RDS(on): 0.049 Ω (VGS = -10 V, ID = -4.1 A), 0.054 Ω (VGS = -4.5 V, ID = -1.0 A)
    - 正向跨导 gfs: 8 S (VDS = -15 V, ID = -4.1 A)
    - 输入电容 Ciss: 450 pF (VDS = -15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: 在典型条件下,RDS(on)低至0.049 Ω(VGS = -10 V),有助于降低电路中的损耗,提高能效。
    - 高可靠性: 无卤素材料,符合环保要求。
    - 宽温度范围: 工作结温和存储温度范围广,适合多种恶劣环境的应用。
    - 快速开关性能: 具备较快的上升时间和下降时间,有利于提高系统的响应速度。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: FDC642P-VB MOSFET适用于负载开关,电源管理和电池保护等应用。
    - 使用建议: 在设计中,确保正确的栅极驱动电压以充分利用其低导通电阻特性。在高电流应用中,考虑散热设计以避免过热问题。在多器件并联时,需注意器件之间的匹配以确保均匀电流分布。

    兼容性和支持


    - 兼容性: FDC642P-VB可以与其他标准的MOSFET和相关集成电路兼容。该产品可通过制造商的官网获取详细的技术支持和售后服务。
    - 支持和服务: 制造商提供详尽的技术文档和用户指南,同时设有客户服务热线400-655-8788,为用户提供技术支持。

    常见问题与解决方案


    - Q: FDC642P-VB的最大漏源电压是多少?
    - A: 最大漏源电压为-30 V。

    - Q: 使用过程中需要注意哪些安全事项?
    - A: 确保不超过绝对最大额定值中的各项指标,尤其是栅源电压不得超过±20 V。

    总结和推荐


    FDC642P-VB是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET,适用于需要高效率和紧凑设计的应用场合。其低导通电阻和高可靠性使其在电源管理和其他电子系统中表现出色。强烈推荐在需要高性能MOSFET的应用中使用该产品。

FDC642P参数

参数
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 25nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 290pF@15V
最大功率耗散 2W
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 250mΩ@ 10V,1A
Id-连续漏极电流 2.3A
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
通道数量 -
配置 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDC642P厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDC642P数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDC642P FDC642P数据手册

FDC642P封装设计

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