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UT70P03L-TN3-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-UT70P03L-TN3-R TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT70P03L-TN3-R

UT70P03L-TN3-R概述

    UT70P03L-TN3-R-VB P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UT70P03L-TN3-R-VB 是一款 P-Channel 30V MOSFET,采用 TO-252 封装。这种类型的 MOSFET 主要应用于开关电源、电机驱动器、负载开关等领域,能够提供高效、可靠的电路控制能力。

    2. 技术参数


    以下是 UT70P03L-TN3-R-VB 的关键技术参数:
    - 额定电压:漏源电压 \( V{DS} \) 为 30V
    - 连续漏电流:\( ID \) 在 25°C 时为 70A,125°C 时为 58A
    - 脉冲漏电流:\( I{DM} \) 为 240A
    - 雪崩电流:\( I{AR} \) 为 60A
    - 重复雪崩能量:\( E{AR} \) 为 180mJ
    - 热阻:结到环境 \( R{thJA} \) 为 68.5°C/W
    - 工作温度范围:结温 \( TJ \) 和存储温度 \( T{STG} \) 范围为 -55°C 到 175°C
    - 导通电阻:\( R{DS(on)} \) 在 \( V{GS} = -10V \) 时为 0.009Ω,在 \( V{GS} = -4.5V \) 时为 0.011Ω
    - 门限电压:\( V{GS(th)} \) 为 1-3V
    - 零门电压漏电流:\( I{DSS} \) 为 1µA(在 \( V{DS} = -30V \) 时)
    - 输入电容:\( C{iss} \) 为 4000pF(在 \( V{GS} = 0V \),\( V{DS} = -25V \),频率为 1MHz 时)

    3. 产品特点和优势


    - 环保设计:符合 RoHS 指令,无铅且环保。
    - 高可靠性:适用于工业级应用,具有高耐压和高电流承载能力。
    - 低导通电阻:导通电阻低,降低了功耗,提高了效率。
    - 宽温度范围:可在极端温度条件下稳定工作,适用于各种严苛环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:在开关电源中用于控制电路,能够快速响应和减少损耗。
    - 电机驱动器:在电机驱动器中用作负载开关,提供高效的电力传输。
    - 电池管理:在电池管理系统中作为保护开关,防止过充和过放。
    使用建议:
    - 确保在电路设计中合理布置散热装置,以降低结温。
    - 使用合适的栅极电阻,避免过高的栅极电流引起损坏。
    - 在高压应用中,考虑增加外部保护电路以防止电压瞬变。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:UT70P03L-TN3-R-VB 与大多数标准 PCB 设计兼容,易于集成。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括免费的技术咨询和售后支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何避免 MOSFET 过热?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用足够的散热片或散热器,并选择合适的 PCB 材料。

    - 问题二:如何正确处理静电放电?
    - 解决方案:使用防静电手套和工具,确保操作环境干净且无静电。

    - 问题三:如何判断 MOSFET 是否损坏?
    - 解决方案:通过测量导通电阻 \( R{DS(on)} \) 或使用万用表检查其工作状态,若发现异常应及时更换。

    7. 总结和推荐


    UT70P03L-TN3-R-VB P-Channel 30V MOSFET 在各方面表现出色,特别适合工业级应用,具有高效能、可靠性和宽工作温度范围。其低导通电阻和环保设计使其成为市场上的佼佼者。强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用中使用此产品。

UT70P03L-TN3-R参数

参数
最大功率耗散 187W
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.013Ω(typ) VGS = - 10 V,ID = - 30 A,TJ = 175 °C
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 80A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT70P03L-TN3-R厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT70P03L-TN3-R数据手册

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