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IPD50N06S2-14

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: 14M-IPD50N06S2-14 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD50N06S2-14

IPD50N06S2-14概述

    IPD50N06S2-14-VB 60V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPD50N06S2-14-VB 是一款由 VBsemi 生产的高性能 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。此器件采用 TO-252 封装,具有卓越的耐热性能和低导通电阻。适用于各种高功率开关电路及直流电源管理,如工业自动化、电机驱动、开关电源和电源逆变器等领域。

    技术参数


    - 关键参数
    - 最大工作温度:175°C
    - 低导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10 V 时为 0.010 Ω,在 VGS = 4.5 V 时为 0.013 Ω
    - 最大持续漏极电流:25°C 下为 136 A,在 100°C 下为 50 A
    - 脉冲漏极电流:100 A
    - 最大单次雪崩能量:125 mJ
    - 电气特性
    - 驱动电压范围:VGS ±20 V
    - 零栅源电压漏极电流(IDSS):VDS = 60 V 时为 1 µA
    - 输入电容(Ciss):2650 pF
    - 输出电容(Coss):470 pF
    - 反向传输电容(Crss):225 pF
    - 总栅极电荷(Qg):47 至 70 nC
    - 热阻率
    - 最大结壳热阻(RthJC):0.85 - 1.1 °C/W
    - 最大结到环境热阻(RthJA):15 - 18 °C/W

    产品特点和优势


    - 高温耐受性:175°C 的最高结温,确保在恶劣环境中稳定工作。
    - 高效率:低导通电阻(RDS(on)),减少功耗并提高能效。
    - 高可靠性:具备良好的抗雪崩能力和瞬态保护,适用于高负载条件下的可靠运行。
    - 易集成:TO-252 封装便于安装和布线,适用于多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适合用于电机控制、电源逆变器、DC/DC 转换器等高功率应用场合。
    - 使用建议:
    - 确保散热片足够大,以避免过热。
    - 在设计电路时考虑输入电容和输出电容对整体性能的影响。
    - 使用适当的栅极驱动器,以确保 MOSFET 正常工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准 PCB 安装流程,可用于现有的 PCB 布局中。
    - 支持:提供详尽的技术文档和客户支持,包括产品规格书、应用指南和技术支持热线。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:过高的漏极电流导致发热
    - 解决方法:增加散热片面积,或者使用外部风扇强制散热。

    - 问题 2:开关损耗过高
    - 解决方法:优化电路布局,确保合理的栅极驱动信号。

    总结和推荐


    综上所述,IPD50N06S2-14-VB 是一款具备高性能、高可靠性的 MOSFET。它在高功率应用中的卓越表现使其成为理想选择。尽管成本相对较高,但其优秀的性能和长期稳定性使其值得投资。强烈推荐在需要高效、高温环境下工作的电路中使用这款产品。
    服务热线:400-655-8788
    希望这篇文章能够为您提供所需的信息,并帮助您更好地了解和使用 IPD50N06S2-14-VB 产品。如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请联系我们的客户服务团队。

IPD50N06S2-14参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 50A
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD50N06S2-14厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD50N06S2-14数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD50N06S2-14 IPD50N06S2-14数据手册

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