处理中...

首页  >  产品百科  >  FDD2572

FDD2572

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 150V 25.4A 74mΩ@10V TO-252
供应商型号: 14M-FDD2572 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDD2572

FDD2572概述

    FDD2572-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDD2572-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道150V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种电子元器件具有极低的栅源导通电阻(RDS(on)),适用于多种开关应用,特别是作为初级侧开关使用。它符合RoHS指令2002/95/EC和无卤素标准IEC 61249-2-21,适用于需要低功耗和高可靠性的场合。

    技术参数


    以下是FDD2572-VB的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):150V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏电流(ID):25.4A @ 25°C
    - 脉冲漏电流(IDM):50A
    - 最大功率耗散(PD):5.9W @ 25°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):150V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.5V 至 3.0V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.074Ω @ VGS=10V, 5A
    - 转移电导(gfs):23S @ VDS=15V, 5A
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):735pF @ VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz
    - 输出电容(Coss):160pF
    - 反向转移电容(Crss):37pF
    - 总栅电荷(Qg):28.5nC @ VDS=75V, VGS=10V, 5A
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻(RthJA):33°C/W
    - 最大结到脚热阻(RthJF):17°C/W

    产品特点和优势


    FDD2572-VB 主要具备以下几个独特功能和优势:
    - 极低的栅源导通电阻(RDS(on)),可减少功率损耗。
    - 符合RoHS和无卤素标准,环保友好。
    - 高温条件下表现出色,最高操作温度可达150°C。
    - 高可靠性测试,100% Rg测试和100%雪崩测试。

    应用案例和使用建议


    FDD2572-VB 主要应用于电源转换器中的初级侧开关。例如,在笔记本电脑充电器中,它可以作为主要开关管使用,以实现高效能的直流到交流转换。为了优化使用效果,建议在选择外部电路时注意散热设计,并确保电路板布局合理,以降低寄生电感和电阻的影响。

    兼容性和支持


    FDD2572-VB 封装为TO-252,与常见的PCB布局兼容,易于焊接和安装。VBsemi公司提供了丰富的技术支持和售后服务,包括详细的使用手册和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高温环境下MOSFET性能下降。
    解决方法:改善散热设计,采用散热片或者增加风扇辅助散热。

    2. 问题:启动延迟时间长。
    解决方法:优化驱动电路,减小栅极电阻,提高驱动速度。

    总结和推荐


    总体来看,FDD2572-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适合用于高效率电源转换应用。其优异的热管理和低导通电阻使得它在众多应用中都能表现卓越。强烈推荐在需要高效能和高可靠性的场合使用此产品。

FDD2572参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 25.4A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 74mΩ@ 10V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDD2572厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDD2572数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDD2572 FDD2572数据手册

FDD2572封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.6682
库存: 40
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 8.34
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336