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UP9971L-S08-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-UP9971L-S08-R SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UP9971L-S08-R

UP9971L-S08-R概述

    UP9971L-S08-R-VB 双N通道60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UP9971L-S08-R-VB 是一款高性能的双N通道功率MOSFET,由VBsemi公司生产。该产品采用了先进的TrenchFET®技术,旨在为电力电子应用提供高效能解决方案。其主要特点包括低导通电阻、高耐压能力以及宽泛的工作温度范围。这种器件广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理等领域。

    技术参数


    以下是UP9971L-S08-R-VB的主要技术规格:
    - 漏源电压 (VDS):60 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):1.5 V 至 2.5 V
    - 零栅源漏电流 (IDSS):≤ 1 μA
    - 连续漏极电流 (ID):7 A
    - 连续源极电流 (IS):3.6 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):18 A
    - 最大功率耗散 (PD):4 W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 至 +175 °C

    产品特点和优势


    UP9971L-S08-R-VB 的主要优势包括:
    1. 先进的TrenchFET®技术:保证了低导通电阻和高可靠性。
    2. 高耐压能力:最高可达60V,适用于多种高压应用。
    3. 宽泛的工作温度范围:-55 °C 至 +175 °C,适合极端环境条件下的应用。
    4. 低功耗:由于导通电阻低,能够有效降低系统整体功耗。
    5. 强抗干扰能力:在高噪声环境下依然保持稳定性能。

    应用案例和使用建议


    UP9971L-S08-R-VB 在各种电力电子应用中表现优异。例如,在开关电源中,可以实现高效的能量转换;在电机驱动系统中,可以提高系统的稳定性和响应速度。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应注意散热设计,以避免过热导致器件损坏。
    - 根据具体应用需求选择合适的封装和连接方式,确保良好的电气连接。
    - 定期进行性能测试,以监测器件的健康状态。

    兼容性和支持


    UP9971L-S08-R-VB 采用标准的SO-8封装,易于与其他标准组件配合使用。VBsemi提供了详细的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及解决方案:
    1. Q:如何正确选择UP9971L-S08-R-VB的安装位置?
    - A: 应将MOSFET安装在具有良好散热效果的位置,如散热片上,并确保足够的散热面积。

    2. Q:如何判断UP9971L-S08-R-VB是否损坏?
    - A: 可通过测量漏极和源极之间的电阻来判断。如果阻值异常,则可能损坏。建议参考技术手册中的典型参数进行比对。

    3. Q:UP9971L-S08-R-VB在高温环境下的性能如何?
    - A: 该器件可在-55 °C至+175 °C的温度范围内正常工作。在高温环境下,应特别注意散热措施,确保器件安全运行。

    总结和推荐


    UP9971L-S08-R-VB是一款性能卓越的双N通道功率MOSFET,具有优秀的电气特性和广泛的适用范围。它的低导通电阻、高耐压能力和宽泛的工作温度范围使其在多个应用领域表现出色。鉴于其优异的性能和可靠性,强烈推荐用于需要高效率和稳定性的电力电子应用。
    希望以上内容能帮助您更好地了解和使用UP9971L-S08-R-VB。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的客户服务团队。

UP9971L-S08-R参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 0.081Ω VGS = 10 V,ID = 4.5 A,TJ = 175 °C
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UP9971L-S08-R厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UP9971L-S08-R数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UP9971L-S08-R UP9971L-S08-R数据手册

UP9971L-S08-R封装设计

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