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DMN4468LSS-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 20V 12A 12mΩ@10V SO-8
供应商型号: 14M-DMN4468LSS-13 SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13概述

    DMN4468LSS-13-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    DMN4468LSS-13-VB 是一款专为高边同步整流操作优化的 N 沟道 MOSFET。它采用先进的 TrenchFET® Power MOSFET 技术,具有低导通电阻(RDS(on))和优异的动态特性,适用于笔记本电脑CPU核心供电和其他高功率应用。

    2. 技术参数


    - 基本规格:
    - 最大漏源电压(VDS): 30 V
    - 最大栅源电压(VGS): ± 20 V
    - 连续漏电流(ID):
    - TC = 25 °C 时: 1 A
    - TC = 70 °C 时: 0.7 A
    - 脉冲漏电流(IDM): 45 A
    - 最大单脉冲雪崩电流(I2): 2.0 A
    - 雪崩能量(EAS): 21 mJ
    - 最大功率耗散(PD):
    - TC = 25 °C 时: 4.2 W
    - TC = 70 °C 时: 2.5 W
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压(VDS): 30 V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 10 A 时: 0.008 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 9 A 时: 0.011 Ω
    - 阈值电压(VGS(th)): 1.0 V ~ 3.0 V
    - 漏极电流(IDSS): 1 µA @ VGS = 0 V, VDS = 30 V
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss): 80 pF
    - 输出电容(Coss): 165 pF
    - 反向转移电容(Crss): 73 pF
    - 总栅极电荷(Qg): 15 nC ~ 23 nC
    - 开关时间(td(on), td(off)): 16 ns ~ 22 ns
    - 上升/下降时间(tr, tf): 10 ns ~ 20 ns

    3. 产品特点和优势


    - 绿色环保: 无卤素,符合RoHS标准。
    - 高性能: 优化设计用于高边同步整流操作,低导通电阻确保高效能转换。
    - 可靠性: 100% Rg测试和UIS测试保证了产品的质量和可靠性。
    - 适应性强: 支持宽泛的工作温度范围(-55°C 至 150°C),适用于多种应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 笔记本电脑CPU核心高边开关。
    - 使用建议:
    - 在选择外部电路设计时,需考虑MOSFET的热管理,确保散热良好。
    - 使用符合要求的驱动器来控制栅极输入信号,以确保快速稳定的开关过程。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与常见的SO-8封装的其他电子元器件兼容,适用于广泛的板级集成。
    - 支持: 提供详细的使用说明和技术支持服务,客户可通过服务热线400-655-8788获取进一步帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 长期使用后发热严重怎么办?
    - A: 确保良好的散热设计,增加外部散热器或者选择更高热阻等级的产品。
    - Q: 如何确认产品是否适合特定应用?
    - A: 客户需要根据具体应用需求验证产品参数,咨询技术人员并进行详细测试。

    7. 总结和推荐


    DMN4468LSS-13-VB 是一款高性能、环保且可靠的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高功率应用场景。它具备优秀的导通特性和低损耗,是一款值得推荐的高质量产品。无论是在笔记本电脑CPU供电还是其他高边开关应用中,这款MOSFET都能提供出色的性能表现和稳定性。

DMN4468LSS-13参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 12A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

DMN4468LSS-13厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

DMN4468LSS-13数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 DMN4468LSS-13 DMN4468LSS-13数据手册

DMN4468LSS-13封装设计

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