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IRF7106TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-IRF7106TRPBF SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7106TRPBF

IRF7106TRPBF概述

    # IRF7106TRPBF MOSFET 技术手册概览

    产品简介


    IRF7106TRPBF 是一款高性能的30V(D-S)N沟道和P沟道MOSFET,适用于电机驱动和移动电源等领域。作为TrenchFET®系列的一部分,该产品在可靠性、效率和散热性能方面表现优异。

    技术参数


    - 基本参数
    - 额定电压(VDS):30V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏极电流(TJ = 150°C):N-Channel: 8A, P-Channel: 8A
    - 脉冲漏极电流(10 µs脉宽):40A
    - 最大功率耗散(TC = 25°C):3.1W(N-Channel),3.2W(P-Channel)
    - 热阻率(RthJA):N-Channel: 50°C/W, P-Channel: 47°C/W
    - 存储和工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 静态参数
    - 击穿电压(VDS):N-Channel: 30V, P-Channel: -30V
    - 门限电压(VGS(th)):N-Channel: 2.0V,P-Channel: -2.0V
    - 导通电阻(RDS(on)):N-Channel: 0.018Ω(VGS=10V, ID=6.8A),P-Channel: 0.040Ω(VGS=-10V, ID=-8A)
    - 动态参数
    - 开启延迟时间(td(on)):N-Channel: 4ns, P-Channel: 10ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):N-Channel: 16ns, P-Channel: 23ns
    - 反向恢复时间(trr):N-Channel: 12ns, P-Channel: 31ns

    产品特点和优势


    1. 高效率:低导通电阻(RDS(on)),保证高效能转换。
    2. 高可靠性:100% Rg和UIS测试确保高可靠度。
    3. 环保标准:符合RoHS和卤素自由标准,绿色环保。
    4. 快速响应:出色的动态参数,如低延迟时间和快速反向恢复。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电机驱动:利用其高效率和低功耗特性,适合用于电机驱动电路。
    - 移动电源:适用于便携式设备,提供高效的电池管理解决方案。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,避免过热导致的性能下降。
    - 使用合适的外部栅极电阻以优化开关速度和减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 与多数主流SO-8封装兼容,可直接替换同类型号。
    - 厂商提供全面的技术支持和详细的文档资料,帮助客户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET发热严重。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或采用外部风扇冷却。

    - 问题2:开关频率过高导致的振荡现象。
    - 解决方案:调整外部栅极电阻值,或者增加额外的缓冲电路以稳定开关过程。

    总结和推荐


    IRF7106TRPBF MOSFET以其卓越的性能和高可靠性,在电机驱动和移动电源应用中表现出色。无论是从可靠性还是成本角度考虑,它都是理想的选择。强烈推荐使用该产品,特别是在需要高效且可靠电力转换的场景中。
    希望上述内容能为您提供有关IRF7106TRPBF MOSFET的详尽信息,如有任何疑问,欢迎随时联系。

IRF7106TRPBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V(N),-2V(P)
FET类型 N+P沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 N 0.024Ω@VGS = 4.5 V,ID = 6.6 A(typ);P 0.05Ω@VGS = -4.5 V,ID = -5 A(typ)
Id-连续漏极电流 8A,-8A
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7106TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7106TRPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7106TRPBF IRF7106TRPBF数据手册

IRF7106TRPBF封装设计

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