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VBZM150N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO-220AB
供应商型号: 14M-VBZM150N03
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM150N03

VBZM150N03概述


    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET(VBZM150N03)
    产品类型:N沟道MOSFET
    主要功能:用于电力管理和控制,具有高效率和低导通电阻特性。
    应用领域:服务器电源管理、负载开关(OR-ing)、直流到直流转换器等。

    技术参数


    - 最大耐压(VDS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TJ=175°C):在25°C时为110A;在70°C时为39A
    - 脉冲漏极电流(IDM):30A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):375mJ
    - 最大功率耗散(PD):250W(25°C时)
    - 热阻(RthJA):32°C/W(最大值)
    - 热阻(RthJC):0.5°C/W(最大值)
    - 反向恢复时间(trr):52ns至78ns(TJ=25°C)
    - 反向恢复电荷(Qrr):70.2nC至105nC

    产品特点和优势


    特点:
    - 高可靠性:所有样品均通过UIS测试和Rg测试。
    - 环保:符合RoHS标准,无铅化处理,适合绿色电子应用。
    - 高效节能:低导通电阻(RDS(on)),保证较低的能量损耗。
    - 宽温度范围:能够在-55°C至175°C的极端温度下正常工作。
    优势:
    - 卓越的散热性能:采用DT-Trench技术,确保长时间稳定运行。
    - 出色的动态性能:快速开关能力,适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在数据中心服务器电源管理中用于负载开关,以提高系统的稳定性和可靠性。
    - 在通信设备中的直流到直流转换器,提供高效的能量转换。
    使用建议:
    - 在高电流应用场景中,应注意并联设计,以分摊电流,避免单一器件过载。
    - 确保良好的散热设计,使用散热片或风扇进行散热,以维持较低的工作温度,延长使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准的TO-220封装,可广泛应用于多种电路板设计。
    - 厂商支持:VBsemi提供详尽的技术文档和客户服务,支持客户定制需求及售后技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何确保MOSFET在高温环境下稳定工作?
    解决方案:选用散热片或散热风扇,确保良好的散热条件;使用热敏电阻监控温度,并根据需要调节风扇转速。
    问题2:如何避免MOSFET在短路情况下损坏?
    解决方案:在电路中加入保护电路,如保险丝或限流电阻,防止瞬间过电流冲击。
    问题3:如何确认MOSFET的门极驱动信号是否正确?
    解决方案:使用示波器监测门极电压波形,确保波形符合要求,避免过电压或欠电压导致的失效。

    总结和推荐


    总结:
    - 优点:VBZM150N03 N-Channel 30-V MOSFET是一款高性能、高可靠性的电子元器件。它具备出色的动态特性和静态特性,且符合RoHS标准,适用于多种工业应用。
    - 缺点:在某些特定应用中,如果散热设计不当,可能会出现过热现象。
    推荐:
    - 强烈推荐在需要高效、高可靠性的应用场景中使用VBZM150N03,如数据中心服务器、通信设备等。为了确保最佳性能和稳定性,务必重视散热设计,并参考厂商提供的技术文档。

VBZM150N03参数

参数
Id-连续漏极电流 180A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.8mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM150N03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM150N03数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM150N03 VBZM150N03数据手册

VBZM150N03封装设计

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