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IRF8010SP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-IRF8010SP TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF8010SP

IRF8010SP概述

    # IRF8010SP-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRF8010SP-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET,具有高可靠性及优良的电气性能。它特别适用于电源管理和电机控制等应用场景。本产品采用TO-263封装,能够承受高达100V的漏源电压(VDS),并具备低至0.010欧姆的导通电阻(RDS(on))。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 100 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 | - | V |
    | 零栅源电压漏电流 | IDSS | - | - | 1 | μA |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 导通状态漏电流 | ID(on) | - | - | 120 | A |
    | 导通状态电阻 | RDS(on) | - | 0.010 | - | Ω |
    | 输入电容 | CISS | - | - | 6550 | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | - | 665 | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | - | - | 265 | pF |
    | 总栅电荷 | Qg | - | 105 | 160 | nC |
    | 栅源电荷 | QGS | - | - | 17 | nC |
    | 栅漏电荷 | QGD | - | - | 23 | nC |
    | 开启延迟时间 | TD(ON) | 12 | 25 | - | ns |
    | 上升时间 | TR | 90 | 135 | - | ns |
    | 关断延迟时间 | TD(OFF) | 55 | 85 | - | ns |
    | 下降时间 | TF | 130 | 195 | - | ns |

    产品特点和优势


    - 高效能:低至0.010欧姆的导通电阻,使其非常适合于需要高效能转换的应用场合。
    - 高温稳定性:最高可承受175°C的结温,确保在极端环境下也能稳定运行。
    - 符合RoHS标准:保证环保要求,同时减少有害物质的使用。
    - 高可靠性:设计上确保产品在严苛条件下的稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRF8010SP-VB广泛应用于开关电源、逆变器和电机控制等电力电子系统。例如,在电池充电器电路中,IRF8010SP-VB可以有效地实现高效且可靠的功率转换。
    使用建议
    为了确保最佳性能,请注意以下几点:
    - 散热管理:鉴于其较高的热阻,建议使用适当的散热措施以保持其正常工作温度。
    - 驱动电路:考虑到其较低的阈值电压,需配置合适的驱动电路来确保稳定的控制信号。

    兼容性和支持


    IRF8010SP-VB采用标准的TO-263封装,易于集成到各种电路板中。厂商提供了详细的技术支持文档和在线客服服务,确保客户在使用过程中得到及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定正确的栅极电压?
    - 解决方案:根据具体应用需求查阅数据手册中的栅极阈值电压(VGS(th)),通常VGS设定在4.5V至10V之间为宜。
    2. 问题:如何处理过高的工作温度?
    - 解决方案:考虑增加外部散热器或采用更高效的散热方案来降低设备的工作温度。

    总结和推荐


    综上所述,IRF8010SP-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。其独特的设计和卓越的性能使其在市场上具有强大的竞争力。我们强烈推荐使用这款产品以获得最佳的应用体验。

IRF8010SP参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 100A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF8010SP厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF8010SP数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF8010SP IRF8010SP数据手册

IRF8010SP封装设计

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型号 价格(含增值税)
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