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ZXMN3F30FHTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V);SOT23
供应商型号: 14M-ZXMN3F30FHTA SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA概述

    ZXMN3F30FHTA-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZXMN3F30FHTA-VB 是一款 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 TrenchFET® Power MOSFET 系列。它具有出色的低导通电阻(RDS(on))特性,广泛应用于直流-直流转换器(DC/DC Converter)等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压(VDS) | - | 30 | V |
    | 栅源电压(VGS) | ± 20 V |
    | 持续漏极电流(ID) | - | 6.5 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | - | 25 | A |
    | 持续源极-漏极二极管电流(IS) | - | 1.4 | A |
    | 最大功率耗散(PD) | 0.9 至 1.7 W |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55 至 150 °C |
    | 阈值电压(VGS(th)) | 0.7 至 2.0 V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.030 至 0.033 Ω |
    | 反向转移电容(Crss) | - | 17 | pF |
    | 总栅极电荷(Qg) | 4.5 至 6.7 nC |
    | 传导增益(gfs) | 11 S |

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料:符合 IEC 61249-2-21 定义,无卤素。
    - 100% Rg 测试:确保产品的可靠性和一致性。
    - 符合 RoHS 指令:满足欧盟对有害物质的限制要求。
    - 低导通电阻:在 VGS = 10 V 时,RDS(on) 仅为 0.030 Ω;在 VGS = 4.5 V 时,RDS(on) 为 0.033 Ω。
    - 快速开关特性:具备快速的上升时间和下降时间,适合高频应用。
    - 高可靠性:100% Rg 测试保证产品质量。

    4. 应用案例和使用建议


    - DC/DC 转换器:适用于各类直流-直流转换器,例如电源模块和逆变器。
    - 通信设备:用于电信设备的电源管理。
    - 消费电子:适用于各种家用电器,如空调、洗衣机等。
    使用建议:
    - 确保在电路设计中考虑到散热问题,以避免因过热导致的损坏。
    - 在高频应用中,注意匹配适当的栅极电阻(Rg)以优化开关速度和降低功耗。

    5. 兼容性和支持


    - 封装类型:SOT-23(TO-236),适用于表面贴装。
    - 兼容其他设备:可与大多数标准 PCB 板兼容,适用于自动化组装生产线。
    - 厂商支持:提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过高的温升 | 加强散热措施,使用合适的散热片。|
    | 开关损耗较大 | 优化栅极电阻(Rg)设置。 |
    | 开关速度慢 | 调整电路设计以减少寄生电容。 |

    7. 总结和推荐


    ZXMN3F30FHTA-VB MOSFET 具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性等特点,非常适合于高频、高效率的应用场合。它的环保特性和广泛的应用场景使其成为市场的热门选择。强烈推荐用于需要高性能、高效能转换的各类应用中。
    如需进一步的技术支持或购买详情,请联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问官网:www.VBsemi.com。

ZXMN3F30FHTA参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 335pF
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

ZXMN3F30FHTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMN3F30FHTA数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA数据手册

ZXMN3F30FHTA封装设计

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