处理中...

首页  >  产品百科  >  FDS8949

FDS8949

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+N沟道 60V 7A 40mΩ@10V SOP-8
供应商型号: 14M-FDS8949 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDS8949

FDS8949概述

    FDS8949-VB Dual N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDS8949-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics公司设计的双沟道N-通道MOSFET。它采用先进的TrenchFET技术制造,能在60V(D-S)电压下正常工作。这款MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动和汽车电子等领域。其独特的设计使其成为高可靠性应用的理想选择。

    技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 60V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏电流 \( ID \): 7A (25°C), 4A (125°C)
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): 18A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 16.2mJ
    - 最大功耗 \( PD \): 4W (25°C), 1.3W (125°C)
    - 电气特性
    - 通态漏源电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = 10V \) 时为 0.028Ω
    - 在 \( V{GS} = 4.5V \) 时为 0.030Ω
    - 转导电导率 \( g{fs} \): 15S
    - 输入电容 \( C{iss} \): 600pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 110pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 50pF
    - 工作温度范围
    - 操作结温和存储温度范围: -55°C 到 +175°C

    产品特点和优势


    - 先进的TrenchFET技术: 提高了开关速度和效率。
    - 高可靠性和稳定性: 经过严格的\( Rg \)和UIS测试,确保产品在极端条件下的可靠性。
    - 宽泛的工作温度范围: 能够适应-55°C到+175°C的极端环境。
    - 低导通电阻: 在各种工作条件下提供优秀的性能,适用于功率转换和控制应用。

    应用案例和使用建议


    FDS8949-VB在多种应用场景中表现出色,例如电源转换器、电机驱动和汽车电子系统。对于电源转换器的应用,可以利用其低导通电阻减少功耗,提高效率。对于电机驱动系统,可以利用其高速开关特性实现精确的控制。在使用时,建议注意散热问题,特别是在高温环境下使用时。

    兼容性和支持


    FDS8949-VB与常见的电路板和连接器具有良好的兼容性,能够在多种电路中顺利安装和使用。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持,包括在线技术论坛和客户服务热线(400-655-8788),以帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备在高温下无法正常工作。
    - 解决方法:检查散热措施是否到位,适当增加散热片或者使用风扇来降低设备温度。

    2. 问题:设备启动时出现异常噪音。
    - 解决方法:检查输入电源的稳定性,确保电源波动在合理范围内。
    3. 问题:设备在负载突变时表现不稳定。
    - 解决方法:调整电路中的滤波元件,确保稳定的供电。

    总结和推荐


    FDS8949-VB是一款出色的双沟道N-通道MOSFET,其低导通电阻和宽泛的工作温度范围使其非常适合用于电源管理和电机驱动等应用。其稳定可靠的性能和广泛的应用范围使其在市场上具有很高的竞争力。强烈推荐使用这款产品,尤其是在需要高性能和高可靠性的地方。

FDS8949参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 10V
配置 -
栅极电荷 21.6nC@ 10V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 750pF@25V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 4mW
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDS8949厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDS8949数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDS8949 FDS8949数据手册

FDS8949封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.43
库存: 88
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 7.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336