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NDF02N60ZG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 650V 2A 5Ω@10V TO-220F
供应商型号: 14M-NDF02N60ZG TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDF02N60ZG

NDF02N60ZG概述


    产品简介


    NDF02N60ZG-VB MOSFET
    NDF02N60ZG-VB 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的性能和可靠性。它专为高电压应用而设计,适用于电源转换器、逆变器、电机驱动器以及其他需要高效率和低损耗的工业和消费电子产品。

    技术参数


    - 耐压能力:最大漏源电压 \( V{DS} \) 为 650V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10V \) 时,\( R{DS(on)} \) 为 4.0Ω
    - \( V{GS} = 0V \) 时,\( V{DS} = 520V \),\( TJ = 125°C \),\( R{DS(on)} \) 为 250Ω
    - 总栅极电荷 \( Qg \):最大值为 11nC
    - 栅极-源极电荷 \( Q{gs} \):2.3nC
    - 栅极-漏极电荷 \( Q{gd} \):5.2nC
    - 最大脉冲电流 \( I{DM} \):8A
    - 重复性雪崩能量 \( E{AR} \):6mJ
    - 工作温度范围:存储和工作温度范围为 -55°C 至 +150°C
    - 最高功耗 \( PD \):在 \( TC = 25°C \) 下为 25W
    - 封装类型:TO-220 Fullpak

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 \( Qg \):这减少了驱动需求,从而降低了能耗和发热。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 \( dV/dt \) 耐久性:提高了产品的稳定性和可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压、电流:确保了产品的精确性和一致性。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC:环保且满足国际标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    NDF02N60ZG-VB MOSFET 在工业级电源转换器中得到了广泛应用,尤其是在高频、高能效的电力电子系统中。例如,在太阳能逆变器和电动车辆充电器中,这款 MOSFET 可以有效提高系统的整体效率。
    使用建议:
    1. 电路布局优化:为了减少寄生电感,建议使用短引线和地平面设计。
    2. 热管理:由于功耗较高,建议使用散热片或其他散热措施以确保可靠运行。
    3. 驱动电路设计:使用合适的驱动电阻 \( RG \),例如 \( RG = 25Ω \),以优化开关时间和减少振铃现象。

    兼容性和支持


    NDF02N60ZG-VB MOSFET 与大多数标准 TO-220 封装的驱动器兼容,但具体应用需根据设计要求进行测试验证。制造商提供详尽的技术文档和应用指南,并设有技术支持热线(400-655-8788)帮助用户解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 高温下工作不稳定
    - 解决方案:检查散热措施是否足够,必要时增加散热片或优化热设计。
    2. 栅极泄漏电流异常
    - 解决方案:检查驱动电路设计和组件选型,确保栅极驱动信号稳定无噪声。
    3. 开关时间过长
    - 解决方案:优化驱动电阻 \( RG \) 和驱动电路布局,减少寄生电感的影响。

    总结和推荐


    综上所述,NDF02N60ZG-VB MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适合于高电压、大电流的应用场合。它具备低栅极电荷、优秀的耐久性和完善的测试认证,使其在市场上具有很强的竞争力。如果您正在寻找一种高效的功率 MOSFET 来提升您的电力电子系统性能,强烈推荐您考虑这款产品。

NDF02N60ZG参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 2A
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NDF02N60ZG厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDF02N60ZG数据手册

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NDF02N60ZG封装设计

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型号 价格(含增值税)
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