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2N7002T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-2N7002T SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2N7002T

2N7002T概述

    2N7002T-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2N7002T-VB 是一款高性能的N沟道60伏特(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有低阈值电压(典型值2V)、低输入电容(25pF)和快速开关速度(25ns),特别适合于低压操作及高速电路设计。此外,它采用了TrenchFET®技术,实现了低导通电阻和高可靠性。这些特性使2N7002T-VB成为逻辑电平接口、驱动器和电池供电系统的理想选择。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 栅源击穿电压:60V (VDS)
    - 栅阈值电压:1V至2.5V (VGS(th))
    - 门体漏电流:±10μA (IGSS)
    - 零栅电压时的漏极饱和电流:1μA (IDSS)

    - 静态参数
    - 漏极-源极导通电阻:2.8Ω (RDS(on)) @ VGS=10V, ID=200mA
    - 导通电流:500mA (ID(on)) @ VGS=10V, VDS=7.5V
    - 前向跨导:100mS (gfs) @ VDS=10V, ID=100mA

    - 动态参数
    - 输入电容:25pF (Ciss)
    - 输出电容:5pF (Coss)
    - 反向转移电容:2.0pF (Crss)
    - 总门电荷:0.4nC至0.6nC (Qg) @ VDS=10V, VGS=4.5V

    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压:60V (VDS)
    - 栅源电压:±20V (VGS)
    - 连续漏极电流(TA=25°C):250mA (ID)
    - 最大功耗(TA=25°C):0.30W (PD)

    3. 产品特点和优势


    - 低阈值电压:2V,便于低电压操作。
    - 低输入电容:25pF,有助于提高频率响应。
    - 快速开关速度:25ns,适用于高频开关应用。
    - 低导通电阻:2.8Ω,减少功率损耗。
    - 高可靠性:采用TrenchFET®技术,确保长期稳定运行。
    - 符合环保标准:符合RoHS和无卤素标准。

    4. 应用案例和使用建议


    2N7002T-VB 在多种应用中表现出色,如:
    - 直接逻辑电平接口(TTL/CMOS)
    - 驱动器(继电器、电磁铁、灯泡、锤子、显示器、存储器、晶体管等)
    - 电池供电系统
    - 固态继电器
    使用建议:
    - 对于高压应用,注意不超过最大允许的漏源电压。
    - 确保良好的散热设计,以避免因过热导致的性能下降。
    - 在高频应用中,考虑输出电容对信号完整性的影响。

    5. 兼容性和支持


    2N7002T-VB 与大多数逻辑电平接口兼容,广泛应用于TTL和CMOS电路。制造商提供技术支持和维护服务,可通过服务热线 400-655-8788 联系。更多资料和文档可在官网 www.VBsemi.com 获取。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:器件发热严重
    - 解决办法:检查散热措施是否足够,必要时增加散热片或改进散热设计。
    - 问题2:漏电流过高
    - 解决办法:检查电路连接是否正确,确认VGS电压在允许范围内。
    - 问题3:开关时间过长
    - 解决办法:确保输入电容和门电荷匹配,调整驱动器以优化开关速度。

    7. 总结和推荐


    2N7002T-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,具备低阈值电压、低输入电容和快速开关速度等特点,非常适合用于低压操作及高频电路设计。其优良的性能和高可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐在需要高可靠性和高效能的应用中使用该器件。
    联系我们获取更多支持和服务,服务热线:400-655-8788。

2N7002T参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 1.12nC
最大功率耗散 300mW
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@ 10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 330mA
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 25pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2N7002T厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2N7002T数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2N7002T 2N7002T数据手册

2N7002T封装设计

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