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20P06 TO-252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V);TO252
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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 20P06 TO-252

20P06 TO-252概述

    20P06-VB TO252 P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    20P06-VB TO252 是一款由VBsemi制造的P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),具有卓越的性能和高可靠性。该器件适用于负载开关和其他高压应用场合。20P06-VB MOSFET采用TO-252封装,易于安装和集成,使其成为各种电力转换和控制系统的理想选择。

    技术参数


    - 主要规格:
    - 漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \):-60V
    - 零门电压漏电流 \( I{DSS} \):\( V{DS} = -60V \),\( V{GS} = 0V \),\( TJ = 175°C \) 时 -150μA
    - 栅极-体泄漏 \( I{GSS} \):\( V{DS} = 0V \),\( V{GS} = \pm 20V \) 时 ±100nA
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \):-1.0V 至 -3.0V
    - 通态电阻 \( r{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = -10V \),\( ID = -5A \),\( TJ = 125°C \) 时 0.100Ω
    - \( V{GS} = -4.5V \),\( ID = -2A \) 时 0.072Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \):1000pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):120pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \):100pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \):10nC
    - 栅极-源极电荷 \( Q{gs} \):2.1nC
    - 栅极-漏极电荷 \( Q{gd} \):3.2nC
    - 开启延时时间 \( t{d(on)} \):6ns
    - 上升时间 \( tr \):15ns
    - 关断延时时间 \( t{d(off)} \):16ns
    - 下降时间 \( tf \):8ns
    - 工作环境:
    - 最大持续栅极-源极电压 \( V{GS} \):±20V
    - 最大连续漏极电流 \( ID \):-30A(\( TJ = 175°C \))
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):7.2mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \):34W(\( TA = 25°C \))
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{STG} \):-55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    - 结构设计:20P06-VB MOSFET采用TrenchFET®技术,确保高性能和长寿命。
    - 全生命测试:所有器件经过100% UIS测试,保证其高可靠性和稳定性。
    - 高能效:极低的通态电阻(0.061Ω至0.072Ω)有助于减少功耗,提高整体效率。
    - 宽工作温度范围:适用于-55°C至175°C的工作环境,适用于严苛的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:20P06-VB MOSFET常用于负载开关,如电源管理和电池管理系统中。这些应用要求开关频率高且损耗低。
    - 使用建议:在高温环境下使用时,建议通过散热片来增加散热效果,以避免器件过热导致失效。此外,根据需求选择合适的栅极电阻值,以优化开关时间和降低开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:20P06-VB MOSFET与大多数标准电路板兼容,可直接焊接到PCB上。为了保证最佳性能,建议使用1英寸×1英寸FR-4板材进行表面贴装。
    - 技术支持:VBsemi提供全面的技术支持和维护服务。用户可以通过公司官网或客户服务热线(400-655-8788)获取更多资料和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间运行后,MOSFET的漏电流增大。
    - 解决方案:检查周围环境温度是否过高,确保使用适当的散热措施。
    - 问题:在某些情况下,MOSFET的开关时间不一致。
    - 解决方案:调整栅极电阻值,以确保稳定的开关性能。

    总结和推荐


    综上所述,20P06-VB TO252 MOSFET凭借其卓越的性能参数、宽广的工作温度范围和良好的可靠性,成为多种高压电力转换应用的理想选择。其低导通电阻、高能效和广泛的温度适应性使其在市场上具有显著的竞争优势。我们强烈推荐此款产品给需要高性能、高可靠性的电子工程师和制造商。

20P06 TO-252参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

20P06 TO-252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

20P06 TO-252数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 20P06 TO-252 20P06 TO-252数据手册

20P06 TO-252封装设计

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