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IPB090N06N3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-IPB090N06N3G TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB090N06N3G

IPB090N06N3G概述


    产品简介


    IPB090N06N3G-VB 是一款高性能的N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由VBsemi公司生产。这款MOSFET采用D2PAK(TO-263)封装,适用于高可靠性、高功率应用。其独特的TrenchFET®技术使其具备出色的导通电阻和高耐压能力,特别适用于电源管理和工业控制领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 V |
    | 栅阈电压 | VGS(th) | 1 | 3 V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | 1 250 | µA |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | 60 A |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) | 0.011 | 0.016 | 0.020 | Ω |
    | 导通电阻(VGS=4.5V) | RDS(on) | 0.012 Ω |
    | 输出电容 | Coss | 470 pF |
    | 反向转移电容 | Crss | 225 pF |
    | 通态电流(连续) | ID | 75 A |
    | 脉冲通态电流 | IDM | 200 A |
    | 工作温度范围 | TJ | -55 175 | °C |

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:IPB090N06N3G-VB 具备高达175°C的工作温度,适合高温环境下的应用。
    2. 低导通电阻:导通电阻最低可达到0.011Ω,保证高效能操作。
    3. 卓越的散热性能:热阻抗低,有利于设备长期稳定运行。
    4. 高击穿电压:击穿电压达到60V,适用于各种高压应用。
    5. 快速开关特性:得益于先进的TrenchFET®技术,该MOSFET具有快速的开关时间,减少能量损耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IPB090N06N3G-VB 广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统等领域。例如,在电源管理方面,它可以用于高频开关电源,有效提高电源转换效率。
    使用建议
    1. 电路设计:在电路设计时,需要考虑热管理和散热措施,确保器件在额定条件下工作。
    2. 测试验证:在实际应用前,建议进行详细的测试验证,特别是温度和电流条件下的测试,以确保稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准的D2PAK封装的MOSFET具有良好的兼容性,可以轻松替换现有设计中的其他型号。VBsemi提供全面的技术支持,包括详尽的数据手册、技术文档以及客户技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 过高的导通电阻导致发热 | 检查电路设计和连接,确保正确的散热措施 |
    | 开关时间过长 | 优化栅极驱动电路,增加驱动电流 |
    | 击穿电压不达标 | 检查输入电压和负载条件,确保在其范围内 |

    总结和推荐


    IPB090N06N3G-VB 是一款高性能的N沟道60V MOSFET,适用于多种高压和高可靠性应用。其卓越的导通电阻、高击穿电压和快速开关特性使其在市场上具备很强的竞争力。如果您需要一个在高温环境中依然可靠稳定的电源管理器件,IPB090N06N3G-VB 是一个非常值得推荐的选择。

IPB090N06N3G参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 60A
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB090N06N3G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB090N06N3G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB090N06N3G IPB090N06N3G数据手册

IPB090N06N3G封装设计

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