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VBM2625

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),19mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.96Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-VBM2625
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM2625

VBM2625概述

    VBM2625 P-Channel 60-V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    VBM2625 是一款由台湾VBsemi公司生产的P-通道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用先进的TrenchFET®技术,具有高效率和低功耗的特点。这款MOSFET特别适用于负载开关的应用场景,如电源管理、电机控制和其他需要高电流和电压的应用场合。

    技术参数


    以下是VBM2625的主要技术参数和性能指标:
    - 工作电压:最大耐压 \( V{DS} \) 为 60V。
    - 持续漏极电流:在不同温度下,最大漏极电流 \( ID \) 分别为:
    - 25°C:50A
    - 70°C:46A
    - 脉冲漏极电流:最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \) 为 200A。
    - 单脉冲雪崩能量:最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \) 为 101mJ。
    - 栅极阈值电压:\( V{GS(th)} \) 范围为 -1V 到 -3V。
    - 输出电容:\( C{OSS} \) 为 390pF。
    - 门极电阻:\( Rg \) 为 5.2Ω。
    - 热阻:最大结到壳热阻 \( R{thJC} \) 为 1.2°C/W;最大结到环境热阻 \( R{thJA} \) 为 40°C/W。
    - 存储温度范围:-55°C 至 150°C。

    产品特点和优势


    VBM2625 的关键特点如下:
    - TrenchFET®技术:提高了功率处理能力和耐压能力。
    - 可靠性测试:100% UIS(Unclamped Inductive Switching)测试确保了产品的可靠性。
    - 宽温度范围:在极端环境下仍能保持稳定性能,适用于工业和汽车领域。
    - 低导通电阻:\( R{DS(on)} \) 在 \( V{GS} = 10V \) 下为 19mΩ,在 \( V{GS} = 4.5V \) 下为 26mΩ。

    应用案例和使用建议


    VBM2625 适用于多种负载开关的应用场景,例如:
    - 电源管理:作为直流/直流转换器中的开关元件。
    - 电机控制:用于电动机的启动和停止控制。
    - 工业自动化:在各种工业控制系统中作为负载开关。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合MOSFET的最大额定值,特别是漏源电压 \( V{DS} \) 和栅源电压 \( V{GS} \)。
    - 使用适当的散热措施以保证结温不会过高,尤其是在高电流条件下。
    - 根据具体应用需求选择合适的栅极电阻 \( Rg \),以优化开关速度和降低EMI干扰。

    兼容性和支持


    VBM2625 支持与标准 TO-220AB 封装相兼容的其他设备,便于直接替换。制造商提供全面的技术支持和维护服务,可以通过服务热线 400-655-8788 获取更多帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:高温环境下电流下降。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或改进散热设计。
    - 问题2:开启延迟时间长。
    - 解决方案:调整栅极电阻 \( Rg \) 或优化电路布局,减少寄生电容的影响。
    - 问题3:雪崩能量不足。
    - 解决方案:检查电路设计是否满足最大雪崩能量要求,并确保实际应用条件不超过额定值。

    总结和推荐


    综上所述,VBM2625 P-Channel 60-V MOSFET 在可靠性、性能和适用性方面表现出色,是一款非常适合工业和汽车应用的理想选择。其先进的TrenchFET®技术和高可靠性使其在市场上具有显著的竞争优势。我们强烈推荐此产品给需要高性能MOSFET的工程师和系统设计师。
    通过遵循上述使用建议和注意事项,您可以最大限度地发挥 VBM2625 的潜力,并确保您的设计满足最高标准。

VBM2625参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.96V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 19mΩ@10V,26mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM2625厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM2625数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM2625 VBM2625数据手册

VBM2625封装设计

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