处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFZ24NPBF

IRFZ24NPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,25A,RDS(ON),80mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-IRFZ24NPBF TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFZ24NPBF

IRFZ24NPBF概述


    产品简介


    产品名称:IRFZ24NPBF
    产品类型:N-Channel MOSFET(N沟道功率场效应晶体管)
    主要功能:
    - 动态dv/dt额定值
    - 快速开关能力
    - 轻松并联
    - 简单的驱动需求
    应用领域:
    - 电源转换电路
    - 驱动电机
    - LED照明控制
    - 工业自动化设备

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压 60 | V |
    | 门极-源极电压 | ± 20 V |
    | 持续漏极电流 10 | 12 | A |
    | 脉冲漏极电流 68 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 100 | mJ |
    | 最大功耗 60 | W |
    | 漏极-源极导通电阻 0.072 Ω |
    | 输入电容 640 nF |
    | 输出电容 360 pF |
    | 反向传输电容 79 pF |
    | 总栅极电荷 25 nC |
    | 门极-源极电荷 5.8 nC |
    | 门极-漏极电荷 11 nC |
    | 开启延迟时间 13 ns |
    | 上升时间 58 ns |
    | 关闭延迟时间 25 ns |
    | 下降时间 42 ns |

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 高动态dv/dt额定值
    - 快速开关
    - 简单的驱动要求
    - 并联容易
    优势:
    - 高性能:快速开关速度减少了开关损耗,提高能效
    - 易于并联设计:简化了复杂电路的设计,降低了成本
    - 适合多种应用:适用于各类电源管理及电机控制电路

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于电动汽车充电桩的直流转换电路,实现高效能的电压调节。
    - 在工业机器人中作为电机控制器,提供稳定的电流控制。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,建议使用热管或散热片以提高热稳定性。
    - 并联使用时要确保门极电阻一致,避免电流分配不均。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品与大多数标准电源管理和电机控制系统兼容,便于集成到现有系统中。

    支持和服务:
    - 台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括电话技术支持(TEL:86-755-83251052)和电子邮件咨询(China@VBsemi.tw)。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 确保使用合适的栅极电阻和驱动电压 |
    | 温度过高 | 使用散热片或冷却装置,确保良好的散热条件 |
    | 漏电流大 | 检查焊接质量,确保无短路或断线 |

    总结和推荐


    综合评估:
    IRFZ24NPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,具有出色的快速开关能力和易于并联的特点。它适用于各种电源管理和电机控制电路,广泛应用于工业自动化、汽车电子和消费电子等领域。
    推荐结论:
    强烈推荐IRFZ24NPBF用于需要高性能和稳定性的应用场合,尤其是对于那些需要快速响应和低损耗的应用,如电源转换和电机控制。

IRFZ24NPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 0.072Ω@VGS = 10 V,ID = 10 A(typ)
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 50nC
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 60W
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 640pF
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFZ24NPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFZ24NPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF数据手册

IRFZ24NPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.013
库存: 300
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.06
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336