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NTD3055L104G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-NTD3055L104G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD3055L104G

NTD3055L104G概述

    NTD3055L104G-VB 60V N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NTD3055L104G-VB 是一款由VBsemi生产的60V N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品具备先进的TrenchFET技术,广泛应用于各种电力转换和控制场合,如直流/直流变换器、直流/交流逆变器和电机驱动等。

    技术参数


    基本规格:
    - VDS(漏源电压): 60V
    - 最大连续漏电流(ID): 18A
    - 零栅源电压漏电流(IDSS): 1μA @ 60V,125°C时为50μA,150°C时为250μA
    - 栅阈值电压(VGS(th)): 1.0V 至 3.0V
    - 反向转移电容(Crss): 40pF
    - 总栅极电荷(Qg): 19.8nC至30nC
    动态规格:
    - 输入电容(Ciss): 6nF
    - 输出电容(Coss): 85pF
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间(td(on)):8ns 至 16ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):18ns 至 27ns
    热阻抗:
    - 结点到环境热阻抗(RthJA): 60°C/W
    - 结点到外壳热阻抗(RthJC): 3°C/W
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS): 60V
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏电流(ID): 1A @ 25°C,8A @ 70°C
    - 单脉冲雪崩电流(IAS): 15A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 11.25mJ
    - 最大功率耗散(PD): 41.7W @ 25°C,2.1W @ 70°C
    - 操作结温和存储温度范围(TJ): -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 高效的TrenchFET技术
    NTD3055L104G-VB采用了TrenchFET技术,这种技术能够显著降低导通电阻,提高开关速度和效率。适用于需要高可靠性和高性能的应用场合。
    2. 100% RG和UIS测试
    产品经过100%栅极电阻和UIS测试,确保了产品的一致性和可靠性。
    3. 多种保护机制
    具有出色的过流、过压和过温保护,保证了在极端条件下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    典型应用案例:
    - 直流/直流变换器:用于电源转换,提供高效能和低损耗。
    - 直流/交流逆变器:适用于太阳能发电系统和风力发电系统。
    - 电机驱动:适用于工业自动化和机器人控制。
    使用建议:
    - 确保散热良好,建议使用较大的铜板以增加散热效果。
    - 使用合适的栅极驱动电路,避免电压和电流的瞬态冲击。
    - 考虑采用辅助电路以保护MOSFET免受过压和过流损害。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - NTD3055L104G-VB 可与大多数标准的直流/直流变换器和逆变器系统兼容,特别是那些需要60V耐压的应用。
    支持:
    - VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,包括用户手册、参考设计和在线技术支持。
    - 厂商提供的技术支持热线为400-655-8788,可供用户咨询相关问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    问题1:过热损坏
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,如使用散热片或散热风扇,并检查电路中的电流和电压是否在安全范围内。
    问题2:开关速度慢
    - 解决方案: 检查栅极驱动信号的质量,确保驱动信号的上升时间和下降时间符合要求。同时,减小栅极电阻以提高开关速度。
    问题3:栅极震荡
    - 解决方案: 在栅极和源极之间添加一个小容量电容器(如10nF)来滤除高频噪声。

    总结和推荐


    综合评估:
    NTD3055L104G-VB是一款高性能的60V N沟道MOSFET,具备出色的开关特性和低导通电阻。其卓越的性能和可靠性使其成为各类电力转换和控制应用的理想选择。
    推荐:
    鉴于其优秀的性能和广泛的应用场景,强烈推荐在高效率电力转换和电机驱动系统中使用NTD3055L104G-VB。对于任何追求高效和稳定的工程师来说,这款MOSFET无疑是一个值得信赖的选择。

NTD3055L104G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.083Ω@VGS = 4.5 V,ID = 6 A
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 16.9A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 41.7W
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTD3055L104G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD3055L104G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD3055L104G NTD3055L104G数据手册

NTD3055L104G封装设计

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