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IPP60R280E6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO220
供应商型号: 14M-IPP60R280E6 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP60R280E6

IPP60R280E6概述

    IPP60R280E6-VB N-Channel 650V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IPP60R280E6-VB 是一款高性能的N沟道650V超级结功率MOSFET,主要应用于电信、照明、消费电子、工业和可再生能源等领域。它具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力(VDS),能够显著降低开关损耗,提高效率。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 最小栅源阈值电压(VGS(th)):2V
    - 最大持续漏电流(ID):25°C时为13A,150°C时为2A
    - 最大脉冲漏电流(IDM):60A
    - 最大雪崩能量(EAS):367mJ
    - 最大功耗(PD):208W
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):典型值2322pF
    - 输出电容(Coss):最大值105pF
    - 有效输出电容(Co(tr)):最大值293pF
    - 总栅极电荷(Qg):最大值10nC
    - 其他参数:
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):最大值500μA(VGS=0V,TJ=125°C)
    - 反向恢复时间(trr):最大值160ns(TJ=25°C,IF=11A)
    - 反向恢复电荷(Qrr):最大值1.2μC

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg):显著降低了开关损耗。
    - 低反向恢复时间(trr)和电荷(Qrr):减少了二极管反向恢复对系统的影响。
    - 低RDS(on):提供了较低的导通电阻,有助于减少热耗散。
    - 宽工作温度范围:可以在-55°C到+150°C之间稳定工作。
    - 兼容性强:适用于多种电源转换和驱动电路,提高了系统的可靠性和效率。

    4. 应用案例和使用建议


    IPP60R280E6-VB 主要应用于服务器和电信电源供应、高亮度放电灯(HID)照明、荧光灯球泡、ATX电源、焊接设备、电池充电器以及太阳能逆变器等。在这些应用中,MOSFET的工作频率较高,要求其具备良好的开关特性和高温稳定性。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应确保驱动电路提供足够的栅极驱动电压和电流,以保证MOSFET能快速开通和关断。
    - 考虑到其高开关速度和高电流处理能力,应选择合适的散热器,以避免过热导致的性能下降或损坏。
    - 对于高频应用,应特别注意PCB布局的寄生电感和电容的影响,以减少噪声干扰和信号完整性问题。

    5. 兼容性和支持


    IPP60R280E6-VB 与多种常见的电源转换和驱动电路兼容,可以轻松集成到现有的系统中。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括数据表、应用笔记和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET在使用过程中发热严重。
    - 解决办法:增加散热片面积或采用强制风冷,检查散热路径是否通畅。

    - 问题:开关损耗较高。
    - 解决办法:选择更优的栅极驱动电路,减少驱动电阻(Rg),提高开关速度。
    - 问题:在高温环境下性能不稳定。
    - 解决办法:采用更高额定温度的器件,确保散热措施到位,避免器件因过热而失效。

    7. 总结和推荐


    IPP60R280E6-VB 是一款高性能的N沟道650V超级结MOSFET,具有优异的开关特性和高温稳定性,适用于各种高效率电源转换和驱动应用。通过合理的设计和选型,能够显著提升系统的整体性能和可靠性。强烈推荐在高要求的电源转换应用中使用该产品。

IPP60R280E6参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP60R280E6厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP60R280E6数据手册

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IPP60R280E6封装设计

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