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NDT3055

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,4A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.53Vth(V) 封装:SOT-223
供应商型号: 14M-NDT3055 SOT-223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDT3055

NDT3055概述

    # NDT3055-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NDT3055-VB 是一款由VBsemi公司生产的高性能N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用SOT-223封装。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适用于便携式设备中的负载开关等应用。由于其优秀的电气特性和高效能,NDT3055-VB在电源管理和电池管理等领域有着广泛的应用前景。

    技术参数


    静态特性
    - 最大耐压 (VDS): 60V
    - 最大漏源击穿电压 (VDS): 75V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.076Ω @ VGS = 10V, ID = 4.0A; 0.085Ω @ VGS = 4.5V, ID = 3.0A
    - 输入电容 (Ciss): 81pF
    - 输出电容 (Coss): 120pF
    - 反向传输电容 (Crss): 100pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 22nC (典型值)
    - 栅极电阻 (Rg): 2.4Ω @ f = 1MHz
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.0V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1µA @ VDS = 60V, VGS = 0V, TJ = 55°C
    动态特性
    - 导通延迟时间 (td(on)): 15ns (最小), 25ns (最大)
    - 上升时间 (tr): 10ns (最小), 20ns (最大)
    - 关断延迟时间 (td(off)): 25ns (最小), 40ns (最大)
    - 下降时间 (tf): 10ns (最小), 20ns (最大)
    热阻抗
    - 最大结至壳热阻 (RthJC): 2.1°C/W (最小), 2.3°C/W (最大)
    - 最大结至壳热阻 (RthJA): 40°C/W (最小), 50°C/W (最大)
    绝对最大额定值
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 漏极连续电流 (ID): 30A (TJ = 150°C)
    - 最大耗散功率 (PD): 3.0W (TC = 70°C)

    产品特点和优势


    NDT3055-VB 的关键优势包括:
    - 低导通电阻: 0.076Ω (VGS = 10V, ID = 4.0A),这使得其非常适合高效率的应用场合。
    - 高可靠性: 无卤素材料,符合RoHS标准,确保长期稳定运行。
    - 优异的动态特性: 快速的开关速度使其适用于高频电路设计。
    - 宽工作温度范围: -55°C 至 150°C,适应各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NDT3055-VB 常用于便携式设备的负载开关,例如智能手机和平板电脑中的电池保护电路。它的高电流能力和低功耗使得它在这些应用中表现出色。
    使用建议
    - 在使用过程中应注意散热问题,避免长时间大电流工作导致过热。
    - 确保驱动电路能够提供足够的栅极电压以保证其快速开关。

    兼容性和支持


    NDT3055-VB 具有良好的兼容性,可以方便地与其他标准封装的器件配合使用。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的参考设计和快速响应的客户服务,以确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过热问题
    2. 栅极驱动不稳定
    解决方案
    1. 过热问题: 确保电路中有足够的散热措施,如加装散热片或风扇。
    2. 栅极驱动不稳定: 确保驱动电路能够提供足够的栅极电压,检查是否有杂散电感和电容导致信号失真。

    总结和推荐


    NDT3055-VB 是一款优秀的N沟道MOSFET,具有出色的电气特性和可靠性,适合多种应用场景。它在便携式设备中的负载开关应用尤为突出。如果你需要一款高性能、高可靠性的MOSFET,NDT3055-VB 是一个不错的选择。强烈推荐在需要高电流、低功耗和高效率的应用中使用。

NDT3055参数

参数
栅极电荷 17nC
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 4W
配置 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 4.5A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 810pF@30V
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@ 10V
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NDT3055厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDT3055数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDT3055 NDT3055数据手册

NDT3055封装设计

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