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UT2302L-AE3-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-UT2302L-AE3-R SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2302L-AE3-R

UT2302L-AE3-R概述

    UT2302L-AE3-R-VB N-Channel 20 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT2302L-AE3-R-VB 是一款由 VBsemi 设计的高性能 N 沟道 20V(D-S)功率 MOSFET。它具备低导通电阻和高可靠性,适用于广泛的电源管理和转换应用。这款 MOSFET 采用先进的 TrenchFET® 工艺制造,具有出色的开关特性和热稳定性。主要功能包括出色的电流处理能力、快速的开关速度以及较低的门极电荷,使其成为各种电源管理应用的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | 20 V |
    | 栅源阈值电压 | 0.45 | 1.0 V |
    | 导通漏源电阻 | 0.028 | 0.042 | 0.050 | Ω |
    | 连续漏极电流 | 6 | 5.1 A |
    | 脉冲漏极电流 | 20 A |
    | 最大功耗 | 2.1 | 1.3 | 1.25 | W |
    | 最大结温 | -55 150 | °C |
    | 热阻 | 80 | 100 °C/W |

    产品特点和优势


    - 卤素无害:符合 IEC 61249-2-21 标准。
    - 低导通电阻:在典型条件下,RDS(on) 在 VGS = 4.5V 时仅为 0.028Ω。
    - 高速开关特性:总门极电荷(Qg)仅为 8.8nC。
    - 高可靠性:所有产品均通过 100% 门极电阻测试。
    - RoHS 合规:符合欧盟 RoHS 指令。

    应用案例和使用建议


    UT2302L-AE3-R-VB 广泛应用于直流-直流转换器、便携式设备负载开关等领域。例如,在一个典型的 DC/DC 转换器设计中,它可以有效地减少电路中的能量损耗。为了优化应用效果,建议:
    - 确保散热良好,尤其是在高电流工作状态下。
    - 使用合适的 PCB 布局以降低寄生电感。
    - 在高压环境下工作时,注意保护措施以防止过电压损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UT2302L-AE3-R-VB 与大多数 SOT-23 封装标准兼容,可直接替换其他类似规格的 MOSFET。
    - 支持:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的数据手册、应用指南和专业的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:为什么导通电阻随温度变化?
    解决方案:参考图表可以看出,随着温度上升,导通电阻会增加。在高功率应用中,考虑使用外部散热措施。

    2. 问题:如何正确焊接此器件?
    解决方案:确保焊接温度不超过 260°C,避免长时间高温操作。
    3. 问题:是否需要外部栅极电阻?
    解决方案:根据具体应用需求,如果需要抑制高频振荡,建议添加 1Ω 的栅极电阻。

    总结和推荐


    UT2302L-AE3-R-VB 是一款高性能、可靠且多功能的 N 沟道 MOSFET,适用于多种电力管理和转换应用。它的低导通电阻、快速开关特性和高可靠性使其成为替代同类产品的理想选择。强烈推荐在需要高效能电力管理的项目中使用。如果您有任何疑问或需要更多技术支持,欢迎联系 VBsemi 客服热线:400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获取更多信息。

UT2302L-AE3-R参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2302L-AE3-R厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2302L-AE3-R数据手册

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