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NTR4171PT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-NTR4171PT1G SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTR4171PT1G

NTR4171PT1G概述


    产品简介


    NTR4171PT1G-VB P-Channel MOSFET
    NTR4171PT1G-VB是一款适用于移动计算领域的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它的主要功能是用于负载开关、笔记本适配器开关和直流/直流转换器。这种MOSFET采用TrenchFET®技术制造,确保高性能和可靠性。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):-30V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):-5A(在25 °C时),-4.3A(在70 °C时)
    - 脉冲漏极电流(t = 100 µs):-18A
    - 最大功耗:2.5W(在25 °C时),1.6W(在70 °C时)
    - 最大结温:150 °C
    - 阈值电压(VGS(th)):-0.5至-2.0V(ID = -250 µA)
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = -10 V,ID = -4 A 时为 0.046 Ω
    - VGS = -6 V,ID = -4 A 时为 0.049 Ω
    - VGS = -4.5 V,ID = -3.6 A 时为 0.054 Ω
    - 热阻:
    - 最大结到环境的最大热阻(t ≤ 5 s):75 °C/W(典型值),100 °C/W(最大值)
    - 最大结到引脚(漏极)的稳态热阻:40 °C/W(典型值),50 °C/W(最大值)

    产品特点和优势


    NTR4171PT1G-VB具有多项独特的功能和优势,使其成为高性能移动计算应用的理想选择。它采用TrenchFET®技术,不仅降低了导通电阻,还提高了效率。此外,100% Rg测试确保了产品的一致性和可靠性。这些特点使该MOSFET在高频率和高可靠性要求的应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    NTR4171PT1G-VB主要应用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备的负载开关、适配器开关和DC/DC转换器。以下是几种典型的应用场景:
    - 负载开关:在需要快速响应和低导通电阻的应用中,NTR4171PT1G-VB可作为理想的开关元件。
    - 笔记本适配器开关:适合于需要高效率和低损耗的电源管理系统。
    - DC/DC转换器:特别适合于需要精确控制和高效转换的应用场合。
    使用建议:
    1. 确保在设计中考虑散热管理,特别是在高功耗和高频操作条件下。
    2. 在选择栅极驱动电阻时,根据具体应用条件进行优化,以提高开关速度和降低损耗。
    3. 在选择和布局PCB时,遵循制造商推荐的最小焊盘尺寸,以确保良好的电气连接和热传导。

    兼容性和支持


    NTR4171PT1G-VB支持标准SOT-23和TO-236封装,可以轻松集成到现有电路板设计中。制造商提供了详细的安装指南和技术支持,以帮助客户在使用过程中解决问题并优化设计。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 如何选择合适的栅极驱动电阻?
    - 解决方法:根据实际需求选择适当的栅极驱动电阻,一般建议在1 Ω至10 Ω之间进行测试和调整,以达到最佳开关时间和损耗平衡。
    2. 在高温环境下使用时,导通电阻是否会变化?
    - 解决方法:导通电阻随温度变化而变化,建议参考数据表中的“导通电阻vs.结温”特性曲线进行选择。

    总结和推荐


    综上所述,NTR4171PT1G-VB P-Channel MOSFET凭借其高性能、高可靠性和易于集成的特点,在多种应用中表现出色。特别是在移动计算领域,它为负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器提供了理想的解决方案。我们强烈推荐在相关项目中使用此产品。如果您有任何疑问或需要技术支持,可以联系我们的服务热线:400-655-8788。

NTR4171PT1G参数

参数
栅极电荷 15.6nC@ 10V
最大功率耗散 2.5W
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 720pF@15V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 5.6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 46mΩ@10V
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTR4171PT1G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTR4171PT1G数据手册

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NTR4171PT1G封装设计

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