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HUF76633P3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 100V 45A 32mΩ@10V TO-220AB
供应商型号: 14M-HUF76633P3 TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUF76633P3

HUF76633P3概述

    HUF76633P3-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    HUF76633P3-VB 是一款N沟道100V(漏极-源极)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有高耐热特性和低热阻封装。这款器件广泛应用于各种电力转换系统,如直流-直流变换器、开关电源、电动机驱动器等领域。

    技术参数


    - 漏极-源极电压 \( V{DS} \): 100V
    - 栅极-源极电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 持续漏极电流 \( ID \) @ 25°C: 55A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 35A
    - 重复雪崩电流 \( I{AR} \): 35A
    - 重复雪崩能量 \( E{AR} \): 61mJ
    - 最大功耗 \( PD \) @ 25°C: 127W
    - 工作温度范围: -55°C 至 175°C
    - 结温至环境温度热阻 \( R{thJA} \): 40°C/W
    - 结温至外壳热阻 \( R{thJC} \): 1.4°C/W

    产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET: 具有更高的电流密度和更低的导通电阻。
    - 高温稳定性: 最大结温可达175°C,适用于恶劣的工作环境。
    - 低热阻封装: 有效提高散热性能,延长使用寿命。
    - 高可靠性: 设计保证及生产测试的特性,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 直流-直流变换器: 用于高效能的电源转换,确保系统稳定性。
    - 电动机驱动器: 适合需要频繁开关操作的应用场合,保证电机控制精度。
    - 其他电力电子应用: 如光伏逆变器、车载充电器等。
    使用建议:
    - 在设计电路时需考虑热管理,选择合适的散热片以确保MOSFET在正常温度范围内工作。
    - 适当限制脉冲宽度和占空比,避免因过载而导致损坏。
    - 在高电流条件下工作时,需监测结温变化,确保安全操作。

    兼容性和支持


    - 该产品支持标准的TO-220AB封装,便于集成到现有电路板设计中。
    - 提供详细的技术支持,包括设计指导、样品提供及售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问: 漏极-源极电压 \( V{DS} \)超过额定值会怎样?
    答: 漏极-源极电压超过额定值会导致器件损坏,应严格控制电压在100V以内。
    2. 问: 高温环境下如何保证可靠运行?
    答: 采用高效的散热措施,如安装散热片,以降低结温并确保设备正常工作。
    3. 问: 如何判断是否需要外部栅极电阻?
    答: 当驱动信号频率较高或负载变化较大时,通常需要增加外部栅极电阻来减少寄生振荡和改善开关性能。

    总结和推荐


    HUF76633P3-VB MOSFET凭借其卓越的耐高温能力、高可靠性以及低热阻封装,成为电力电子领域的理想选择。其应用范围广泛,不仅限于电力转换系统,还能满足电动机驱动和其他高电流应用需求。综合其优异的技术性能和高性价比,强烈推荐使用HUF76633P3-VB MOSFET进行电力电子系统的开发和升级。

HUF76633P3参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 45A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HUF76633P3厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUF76633P3数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUF76633P3 HUF76633P3数据手册

HUF76633P3封装设计

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