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CEM4435

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-CEM4435 SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) CEM4435

CEM4435概述

    # CEM4435-VB P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    CEM4435-VB 是一款 P-通道 30V(D-S)功率 MOSFET,专为高效率和低损耗的应用而设计。它采用先进的 TrenchFET® 技术,能够实现极低的导通电阻(RDS(on)),适用于负载开关和电池开关等应用。
    主要功能
    - 高效的 P-通道 MOSFET
    - 极低的导通电阻,确保高效率运行
    - 符合 RoHS 和无卤素标准,环保友好
    应用领域
    - 负载开关
    - 电池管理
    - 其他高效率开关应用

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):-30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏电流(TJ = 150°C):-7.0A
    - 脉冲漏电流(IDM):-30V
    - 最大功率耗散(TJ = 25°C):4.2W
    - 存储温度范围:-55°C 至 150°C
    静态特性
    - 导通电阻(RDS(on)):0.018Ω (VGS = -10V)
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):-1.0V 至 -2.5V
    - 门限泄漏电流(IGSS):±100nA
    动态特性
    - 输入电容(Ciss):455pF
    - 输出电容(Coss):180pF
    - 反向传输电容(Crss):145pF
    - 总栅极电荷(Qg):13nC
    - 开启延迟时间(td(on)):10ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):23ns

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高效率:低导通电阻确保高效率,减少能量损失。
    - 安全可靠:符合 RoHS 和无卤素标准,确保环境友好。
    - 强大的过载能力:绝对最大额定值高,适应严苛的工作环境。
    市场竞争力
    - 优秀的导通电阻,显著提升开关性能。
    - 广泛的温度范围和强大的耐热能力,适用于各种复杂环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:通过精确控制开关状态,减少能量浪费,提高系统效率。
    - 电池管理:用于电池充放电控制,延长电池寿命。
    使用建议
    - 在选择合适的栅源电压时,建议使用 -10V 或更低,以确保最低导通电阻。
    - 注意散热设计,避免因过热导致器件损坏。
    - 在脉冲条件下使用时,应遵循脉冲测试条件限制,避免超过额定值。

    兼容性和支持


    兼容性
    CEM4435-VB 具有广泛的应用兼容性,可与多种电子元器件和设备配合使用。
    支持
    制造商提供全面的技术支持,包括应用指南、产品规格书和技术咨询,确保用户能够充分利用该产品的性能。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何保证低导通电阻?
    - 确保栅源电压达到 -10V 或更低,以实现最低导通电阻。
    2. 如何处理过热问题?
    - 设计合理的散热系统,例如增加散热片或使用外部冷却装置。
    3. 栅源泄漏电流过高怎么办?
    - 确认使用时的栅源电压在规定范围内,避免超过最大额定值。
    解决方案
    - 严格遵循技术手册中的参数和使用建议。
    - 定期进行温度监测和电路检查,确保设备正常运行。

    总结和推荐


    综合评估
    CEM4435-VB P-Channel 30-V MOSFET 具备出色的导通电阻、可靠的性能和广泛的应用范围,特别适合需要高效率和低能耗的应用场景。其符合 RoHS 和无卤素标准,确保环保和安全性。
    推荐
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用前景,我们强烈推荐 CEM4435-VB MOSFET 用于高效率和低能耗的开关应用中。

CEM4435参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 0.024Ω@VGS = - 4.5 V,ID = - 5.6 A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 4.2W
Id-连续漏极电流 9A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

CEM4435厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

CEM4435数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 CEM4435 CEM4435数据手册

CEM4435封装设计

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