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30N06 TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V);TO220
供应商型号: 30N06 TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 30N06 TO220

30N06 TO220概述

    30N06-VB TO220 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    30N06-VB 是一款 N 沟道 60V MOSFET(漏极-源极电压),采用 TO-220AB 封装。它适用于表面贴装技术,具有动态 dv/dt 评级,逻辑级栅极驱动能力,快速开关速度等特点。该器件符合无卤素、RoHS(2002/95/EC)要求,广泛应用于各种电力转换和控制场合,如电源管理、马达控制、逆变器等。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):60V
    - 最大漏极电流 (IDM):200A
    - 静态特性
    - 开启电压 (VGS(th)):1.0V ~ 2.5V
    - 栅源漏电流 (IGSS):± 100nA
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):25μA
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.024Ω @ VGS=10V
    - 转导电导 (gfs):23S
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss):190pF
    - 输出电容 (Coss):未提供
    - 反向转移电容 (Crss):未提供
    - 总栅极电荷 (Qg):66nC
    - 栅源电荷 (Qgs):12nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):43nC
    - 开关延迟时间 (td(on)):17ns
    - 上升时间 (tr):230ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):2ns
    - 下降时间 (tf):110ns
    - 热阻
    - 最大结至环境热阻 (RthJA):62°C/W (非PCB安装)
    - 最大结至外壳热阻 (RthJC):1.0°C/W

    产品特点和优势


    - 环保合规:无卤素且符合RoHS指令。
    - 快速开关:具有优异的动态dv/dt等级和快速开关能力。
    - 逻辑级驱动:适合于大多数数字控制器。
    - 可靠性高:重复使用条件下的脉冲宽度受最大结温限制。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:可以用于低功耗直流-直流转换器。
    - 电机控制:利用其快速开关特性改善马达控制系统的性能。
    - 逆变器应用:适用于光伏逆变器和其他需要高效能开关的应用。
    使用建议:由于其低导通电阻 (RDS(on)) 和快速开关特性,推荐在高频电路中使用,以减少损耗并提高效率。在设计电路时,应注意避免过高的温度,通过合适的散热措施来降低热阻。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与其他标准TO-220封装的组件兼容。
    - 支持:供应商提供了详尽的技术文档和技术支持,包括详细的电气特性和应用指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过高的脉冲电流导致器件损坏。
    - 解决办法:确保工作在规定的脉冲宽度和占空比范围内,适当使用外部保护电路。
    - 问题:散热不足导致器件过热。
    - 解决办法:选择合适尺寸的散热片或风扇进行有效的热管理。

    总结和推荐


    总体来说,30N06-VB MOSFET 在多种应用中表现出色,特别是其环保合规性和快速开关性能使其成为理想的电力转换元件。尽管其价格可能略高于市场上的一些普通产品,但其卓越的性能和可靠的使用寿命使它成为一个值得投资的选择。强烈推荐给寻求高性能、可靠性和环保性的工程师和设计师。

30N06 TO220参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

30N06 TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

30N06 TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 30N06 TO220 30N06 TO220数据手册

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