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VBZM4N65

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: VBZM4N65 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM4N65

VBZM4N65概述

    VBZM4N65 N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBZM4N65 是一款高性能的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),具有低栅极电荷、高可靠性和优良的电气性能。该产品主要用于开关电源、逆变器、电机驱动器等应用场合,适用于各种工业控制系统。

    技术参数


    - 电压参数
    - 栅源电压:±30V
    - 漏源电压:650V
    - 漏极连续电流(TC=25℃):4.2A
    - 脉冲漏极电流(重复):18A
    - 单脉冲雪崩能量:325mJ
    - 重复雪崩电流:4A
    - 重复雪崩能量:6mJ
    - 电阻参数
    - 漏源导通电阻(VGS=10V):1.7Ω
    - 零栅压漏极电流:25μA(VDS=650V)

    - 电容参数
    - 输入电容(VGS=0V, VDS=25V):1017pF
    - 输出电容:170pF
    - 反向转移电容:7.0pF
    - 有效输出电容:84pF
    - 其他参数
    - 总栅极电荷:48nC
    - 开启延迟时间:14ns
    - 关闭延迟时间:34ns
    - 热阻抗:最大结到环境热阻65℃/W,最大结到外壳热阻2.1℃/W
    - 操作温度范围:-55℃至+150℃

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:低栅极电荷减少了驱动要求,简化了电路设计。
    2. 坚固耐用:改进了栅极、雪崩和动态dV/dt耐久性。
    3. 完全特征化:栅极、雪崩电压和电流均经过全面测试。
    4. 符合RoHS标准:完全符合欧盟的RoHS指令2002/95/EC。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:VBZM4N65广泛应用于工业控制系统的开关电源、逆变器及电机驱动器。它能够满足这些场合对高性能、高可靠性的需求。
    - 使用建议:
    - 在应用中需注意最高工作温度不超过150℃。
    - 栅极驱动信号应保证足够强度以防止误触发。

    兼容性和支持


    - 兼容性:VBZM4N65 与市面上多数控制器和驱动器兼容。
    - 支持:提供详细的技术文档和应用指南。厂商还提供在线技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - Q: 开启延迟时间过长怎么办?
    - A: 调整栅极电阻,降低其值以缩短开启延迟时间。
    - Q: 工作温度过高如何处理?
    - A: 使用合适的散热装置,如热管或散热片,确保良好的热管理。
    - Q: 如何避免误触发?
    - A: 使用适当的栅极驱动器并保持足够的栅极电压。

    总结和推荐


    VBZM4N65 是一款高性能的N沟道MOSFET,具备低栅极电荷、高可靠性和优良的电气性能。适用于各类工业控制系统,尤其是需要较高可靠性及高性能的应用。推荐使用,尤其是在需要低功耗和高效率的场合。总体来看,VBZM4N65 在市场上具有很强的竞争力。

VBZM4N65参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBZM4N65厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM4N65数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM4N65 VBZM4N65数据手册

VBZM4N65封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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