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VBL165R10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)和3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,具有1100m?的导通电阻,能够承受最大10A的漏极电流(ID)。采用Plannar技术,封装为TO263。
供应商型号: VBL165R10 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL165R10

VBL165R10概述


    产品简介


    基本介绍
    VBL165R10是一款高性能的N沟道650V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件设计用于高效率的电源转换应用,例如服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应系统以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)和工业应用。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650 V
    - 栅源电压 (VGS):± 30 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):40 A
    - 脉冲漏极电流:受最大结温限制
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):45 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):取决于热阻,但标准值为3.2 W/°C
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 输入电容 (Ciss):在VGS=0V,VDS=100V时为35 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):4 nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs):5 nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):22 nC
    - 开启延迟时间 (td(on)):13-25 ns
    - 上升时间 (tr):11-35 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):81-90 ns
    - 下降时间 (tf):25-40 ns

    产品特点和优势


    - 低品质因子 (FOM):Ron x Qg 非常低,确保了优秀的效率。
    - 低输入电容 (Ciss):减少了开关损耗。
    - 减少的开关和导通损耗:适合高频率应用。
    - 超低门极电荷 (Qg):提高驱动效率。
    - 雪崩能量额定 (UIS):提高了可靠性。

    应用案例和使用建议


    VBL165R10非常适合于服务器和电信系统的电源供应。在这些系统中,它能够有效减少电源转换过程中的能量损失,提高整体能效。此外,在工业和照明系统中,这款器件也能提供可靠的电力管理。
    使用建议
    1. 在高温环境下使用时,应特别注意散热问题,确保不超过最大允许温度。
    2. 确保门极驱动电路稳定,避免过高的门极电压导致损坏。
    3. 在进行高频率开关操作时,考虑使用适当的电路布局以减少寄生电感。

    兼容性和支持


    VBL165R10的设计兼容标准D2PAK封装,符合JEDEC TO-263AB标准。VBsemi公司提供了详尽的技术支持和文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。如果需要进一步的帮助,可以联系VBsemi的服务热线。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:门极电压不稳定
    - 解决方案:确保门极驱动电路正确并具有足够的驱动能力。

    2. 问题:过热问题
    - 解决方案:改善散热机制,如增加散热片或风扇,以降低工作温度。

    3. 问题:雪崩能量超出额定值
    - 解决方案:选择合适的外部保护电路,或者调整电路布局以减少电压尖峰。

    总结和推荐


    VBL165R10凭借其优秀的低损耗特性、高效的能量转换能力和广泛的适用范围,在多种电力应用中表现卓越。其紧凑的封装和高可靠性使其成为高效率电力管理系统中不可或缺的一部分。强烈推荐给需要高可靠性和高性能电子系统的应用场合。
    请注意,由于VBsemi公司不断更新产品规格,建议在实际应用前查阅最新的技术手册以获取最准确的信息。

VBL165R10参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL165R10厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL165R10数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBL165R10 VBL165R10数据手册

VBL165R10封装设计

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